[发明专利]一种存储器单元的制备方法有效
| 申请号： | 201110349900.3 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102446720A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 单元 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种存储器单元的制备方法，包括对储存器单元进行环状注入工艺，其特征在于，所述环状注入工艺包括正向注入和反向注入，其中反向注入离子的最外层得失电荷数与正向注入离子相反，所述离子注入器件沟道中。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述正向注入的离子为第五族元素，其反向注入的离子为第三族元素。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第五族元素为砷，第三族元素为硼。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述正向注入的离子为第三族元素，其反向注入的离子为第五族元素。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第三族元素为硼，第五族元素为砷。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述环状注入分成两次或两次以上步骤完成。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，将垂直于器件的硅片表面方面定义为y方向，所述各分步进行离子注入的方向与y方向所成角度相同。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，将平行于器件的硅片表面方向定义为x方向，所述各分步进行离子注入的方向在硅片表面的投影与x方向成角度不相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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