[发明专利]用DPN氮氧化硅作为SONOS 存储介质层的方法有效
| 申请号： | 201110349894.1 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102446964A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 黄奕仙;杨斌;郭明升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | dpn 氧化 作为 sonos 存储 介质 方法 | ||
1.一种用DPN氮氧化硅作为SONOS 存储介质层的ONO结构，其特征在于，所述ONO结构包括隧穿氧化层、存储介质层和阻挡氧化层，所述隧穿氧化层和阻挡氧化层由氧化硅构成，所述存储介质层由氮氧化硅构成，所述存储介质层在靠近阻挡氧化层的氮氧化硅中含有较多的氮，而在靠近隧穿氧化层的氮氧化硅中含有较多的氧。
2.如权利要求1所述的用DPN氮氧化硅作为SONOS 存储介质层的ONO结构，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为15~25A，所述存储介质层的厚度为80~90A，所述阻挡氧化层的厚度为40~60A。
3.一种用DPN氮氧化硅作为SONOS 存储介质层的ONO结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，在器件的硅衬底上生长隧穿氧化层；
步骤2，在所述隧穿氧化层上生长本体氧化层；
步骤3，将氮离子注入到本体氧化层中，并使得靠近隧穿氧化层的一侧中含有较多的氧，另一侧中含有较多的氮，形成存储介质层；
步骤4，在所述存储介质层上生长阻挡氧化层。
4.如权利要求3所述的用DPN氮氧化硅作为SONOS 存储介质层的ONO结构的制备方法，其特征在于，所述步骤3中利用去藕等离子体氮化物工艺将把等离子态的氮注入到本体氧化层中，并使得靠近隧穿氧化层的一侧中含有较多的氧，另一侧中含有较多的氮，形成存储介质层。
5.如权利要求3所述的用DPN氮氧化硅作为SONOS 存储介质层的ONO结构的制备方法，其特征在于，所述步骤2中利用炉管在所述隧穿氧化层上生长本体氧化层。
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