[发明专利]采用极低频脉冲电场处理种子的系统及处理方法

说明书

技术领域

本发明属于低频脉冲电场技术领域，涉及一种促进种子萌发和生长的方法，具体涉及一种采用极低频脉冲电场处理种子的系统，本发明还涉及采用上述系统处理种子的方法。

背景技术

植物种子经过处理后可以提高种子活力、促进种子萌发及幼苗生长、增加种子的抗逆性及产量。现有种子处理的方法主要有化学方法和物理方法，化学方法使用各种化学试剂、激素或药物处理种子，如在公开号为CN1915032，公开日为：2007.02.21，专利名称为“一种用于促进种子萌发的种子处理剂”的发明专利中，利用赤霉素、萘乙酸、玉米素和多菌灵促进种子萌发。由于在化学方法中化学药剂的使用会对环境造成污染，物理方法受到重视，先后研究过的有静电处理方法、超声波处理方法、核辐射处理方法、磁化水处理方法和低能离子处理方法等，其中，高压静电场研究的最多。如在公开号为CN1031168，公开日为：1989.02.22，专利名称为“静电场处理种子方法”的发明专利中，用高压静电场处理种子。为了提高作用效果，还出现了一些综合性处理方法，如在公开号为CN1295785，公开日为：2001.05.23，专利名称为“直流电场综合处理种子的方法”的发明专利中，将静电场处理与化学处理方法综合起来，先用ABT生根粉、赤霉素、PEG调节剂和其他化学试剂构成的营养液预处理，然后再用电场处理种子；在公开号为CN102144443，公开日为：2011.08.10，专利名称为“一种种子萌发处理的方法”发明专利中，用电化学方法促进种子萌发。但是，在这些方法中由于电场作用机理不清，导致所使用的电场剂量十分混乱，在实际应用中效果很小，甚至经常出现矛盾的结果，难以应用；综合性方法中由于化学试剂的使用对环境造成危害。

发明内容

本发明的目的是提供一种采用极低频脉冲电场处理种子的系统，解决现有种子处理的物理技术中对种子萌发和幼苗生长的促进效果不明显的问题。

本发明的另一目的是提供一种采用上述系统处理种子的方法。

本发明所采用的技术方案是，采用极低频脉冲电场处理种子的系统，包括极低频高压脉冲发生器，极低频高压脉冲发生器的两极分别连接有一铜板，两个铜板平行放置作为电极，两个铜板之间设置有用于放置种子的有机玻璃。

本发明所采用的另一技术方案是，采用极低频脉冲电场处理种子的方法，应用采用极低频脉冲电场处理种子的系统，该系统的结构为：包括极低频高压脉冲发生器，极低频高压脉冲发生器的两极分别连接有一铜板，两个铜板平行放置作为电极，两个铜板之间设置有用于放置种子的有机玻璃；

具体按照以下步骤实施：

步骤1：将种子清洗、消毒，杀死表面微生物，在水中浸泡3～24小时；

步骤2：将步骤1得到的吸水萌动后的种子放在有机玻璃上，开启极低频高压脉冲发生器对种子进行作用。

本发明的特点还在于，其中的步骤2开启极低频高压脉冲发生器对种子进行作用，设置电场强度100KV/m～500KV/m，电场方向垂直地面向下，脉冲频率为0.1～20Hz，脉宽为10ms～100ms，每天作用2～8小时，作用5-6天。

本发明的有益效果是，无需对种子进行任何方式的预处理，单纯利用极低频脉冲电场促进萌发与生长，对环境无污染，对细胞核无影响，不会造成细胞染色体变异和环境危害，简单实用，效果明显。

附图说明

图1是本发明采用极低频脉冲电场处理种子的系统的结构示意图；

图2是本发明中极低频高压脉冲发生器的原理图；

图3是本发明中采用的极低频高压脉冲；

图4是本发明实施例中极低频脉冲电场对萌发绿豆延迟发光积分强度的影响；

图5是本发明实施例中极低频脉冲电场对萌发玉米发光积分强度的影响。

图中，1.极低频高压脉冲发生器，2.铜板，3.有机玻璃。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。

本发明采用极低频脉冲电场处理种子的系统的结构，如图1所示，由样品室和极低频高压脉冲发生器1两个部分组成，极低频高压脉冲发生器1的两极分别连接有一铜板2，两个平行放置的铜板2作为电极，两个铜板2之间设置有用于放置种子的有机玻璃3。高压脉冲在两极之间产生的脉冲电场作用于种子上。