[发明专利]基于EMI噪声分析的GTEM小室校准及评估方法有效

专利信息
申请号: 201110349573.1 申请日: 2011-11-08
公开(公告)号: CN102565739A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 褚家美;戎融 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01R35/00 分类号: G01R35/00
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 艾中兰
地址: 210096*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 emi 噪声 分析 gtem 小室 校准 评估 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及对基于EMI(Electro Magnetic Interference,电磁干扰)噪声分析的GTEM(Gigaherts Transverse Electro Magnetic,吉赫兹横电磁波)小室进行校准及评估的方法,属于电磁兼容技术领域。

背景技术

目前,电磁兼容标准中所规定的辐射电磁干扰测试装置主要为开阔场(OAT)、电波暗室及半暗室,而这些装置对于辐射电磁干扰测试的要求非常高,且造价昂贵。因此,有必要找到一种相对廉价并且可以代替开阔场或电波暗室的辐射电磁干扰测试方法。

IEC61000-4-20标准已经将GTEM小室作为电小尺寸EUT(Equipment Under Test,受试设备)辐射发射测试的替代设备,由于它的使用频带很宽,在DC~18GHz范围内不需要像在开阔场及半波暗室中测量时那样更换接收天线,因而使测试效率得到提高。并且造价低廉,不受环境噪声的影响,测试步骤简单,数据复现性好等等一系列的优点,使它有着很好的使用前景,用GTEM小室代替开阔场或暗室、半暗室进行EMI测试为许多企业提供了一个行之有效的方法。然而,目前一般的GTEM小室大都用于EMS(Electro Magnetic Susceptibility,电磁抗扰度)测试,而针对于EMI测量的尚不多见。并且受试设备的极限值仍是以开阔场或半波暗室中测得数据为依据的,因此在GTEM小室测得的数据需要转换为等效的开阔场或电波暗室的场强值。有关GTEM小室作为一种辐射电磁干扰测试装置的研究主要有:通过测量GTEM小室芯板与底板间的电压,计算多极矩模型或辐射功率得出被测设备辐射场特性,可将GTEM小室测得的数据转换为等效的开阔场或电波暗室的场强值,主要有Wilson、Lee和总功率法这三种关联算法,如Wilson算法通过转台将被测设备进行9次测量,即在每种摆法上旋转三次,共得到9个电压值,根据功率计算公式:

bij=4Vij250eoy2]]>

其中Vij为9次测量分别得到的电压值(i=1,2,3;j=1,2,3),eoy为:

eoy=2aZC1/2Σm=1,3,s[cosh(My)sinh(Mh)]·sin(Ma)J0(Mg)(M=2a)]]>

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