[发明专利]用于压控振荡器的内置自检测电路有效
| 申请号： | 201110349020.6 | 申请日： | 2011-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN102780487A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 谢协宏;蔡铭宪;叶子祯;周淳朴;薛福隆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H03L7/099 | 分类号： | H03L7/099;H03L7/08 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 压控振荡器 内置 检测 电路 | ||
1.一种电路，包括：
射频峰值检测器，被配置为从压控振荡器接收交流信号，并且在所述射频峰值检测器的输出端处生成与所述交流信号成比例的直流值；以及
缓冲器，位于所述射频峰值检测器和所述压控振荡器之间。
2.根据权利要求1所述的电路，其中，所述射频峰值检测器包括：
n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，在弱反转区中运行；以及
第一滤波器，连接在所述NMOS晶体管的漏极端和所述射频峰值检测器的所述输出端之间。
3.根据权利要求2所述的电路，其中，所述第一滤波器被配置为：所述第一滤波器的截止频率小于所述压控振荡器生成的最小频率。
4.根据权利要求2所述的电路，其中，所述NMOS晶体管的栅极连接至固定电压电势。
5.根据权利要求2所述的电路，其中，进一步包括：
第二滤波器，与所述第一滤波器串联连接；以及
极间耦合电容器，位于所述射频峰值检测器的输入端与所述NMOS晶体管的所述漏极端之间。
6.根据权利要求1所述的电路，其中，所述缓冲器包括：
串联连接的p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管和NMOS晶体管；以及
极间耦合电容器，位于所述缓冲器的输入端和栅极结点之间，所述栅极结点连接至所述PMOS晶体管的栅极和所述NMOS晶体管的栅极；
7.根据权利要求1所述的电路，其中，所述压控振荡器为交叉连接的振荡器。
8.根据权利要求1所述的电路，其中，所述压控振荡器与所述射频峰值检测器形成在相同的晶圆上。
9.一种系统，包括：
压控振荡器；
缓冲器，具有输入端，所述输入端连接至所述压控振荡器的输出端；以及
射频峰值检测器，被配置为接收来自所述压控振荡器的交流信号，并且在所述射频峰值检测器的输出端处生成与所述交流信号成比例的直流值。
10.一种方法，包括：
经由缓冲器从压控振荡器接收交流信号；
检测所述交流信号的峰值；以及
在射频峰值检测器的输出端处将所述峰值变换为直流值。
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