[发明专利]用铜基板一步制备纳米碳纤维薄膜的方法

权利要求书

1.一种用铜基板一步制备纳米碳纤维薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)以铜基板作为基体和催化剂，将铜基板进行打磨处理；

(2)用蒸馏水对其表面进行清洗；

(3)将清洗过的铜基板放入反应装置中，加入碳源气体，制备出纳米碳纤维薄膜。

2.根据权利要求1所述的用铜基板一步制备纳米碳纤维薄膜的方法，其特征在于，还包括如下步骤：制备完成后，将铜基板表面的碳纤维薄膜除去，铜基板作为基体和催化剂重复使用。

3.根据权利要求1或2所述的用铜基板一步制备纳米碳纤维薄膜的方法，反应装置内的反应温度为200-1000℃，反应时间为0.1-4h。

4.根据权利要求1或2所述的用铜基板一步制备纳米碳纤维薄膜的方法，其特征在于，碳源气体采用一氧化碳或甲烷或乙烯或乙炔或其混合物。

5.根据权利要求4所述的用铜基板一步制备纳米碳纤维薄膜的方法，其特征在于，打磨处理采用砂纸打磨或喷砂处理。

6.根据权利要求5所述的用铜基板一步制备纳米碳纤维薄膜的方法，其特征在于，砂纸的型号采用100-2000目。

7.根据权利要求5所述的用铜基板一步制备纳米碳纤维薄膜的方法，其特征在于，喷砂介质采用石英砂或钢珠。

8.根据权利要求1所述的用铜基板一步制备纳米碳纤维薄膜的方法，其特征在于，铜基板的厚度为0.1-20mm。