[发明专利]半导体器件及其钨塞填充方法有效
| 申请号： | 201110348659.2 | 申请日： | 2011-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103094202A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 周君 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 填充 方法 | ||
1.一种钨塞填充方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括需填充金属钨的若干孔洞；
在所述孔洞内形成钨种子层，所述钨种子层在孔洞开口的棱角处的沉积速率大于孔洞内部的沉积速率；
在所述钨种子层上形成钨膜层，所述钨膜层将所述孔洞内部填充，其中，在所述钨膜层的沉积过程中，采用腐蚀性物质去除孔洞开口处的金属钨，以避免在所述孔洞开口处累积金属钨。
2.根据权利要求1所述的钨塞填充方法，其特征在于，所述腐蚀性物质具体为氟离子。
3.根据权利要求2所述的钨塞填充方法，其特征在于，所述钨膜层的过程具体为：
在高密度等离子体化学气相淀积HDP反应腔体内，通入腐蚀性气体，通过射频的解离作用得到所述腐蚀性物质；
在进行钨膜层沉积过程的同时，采用腐蚀性物质去除所述孔洞开口出的钨膜层材料，直至完成钨膜层的沉积。
4.根据权利要求3所述的钨塞填充方法，其特征在于，所述腐蚀性气体为CF4气体或NF3气体。
5.根据权利要求3所述的钨塞填充方法，其特征在于，还包括，在向所述HDP反应腔体内通入所述腐蚀性气体的同时，通入适量的惰性气体，以平衡反应腔体内的压力。
6.根据权利要求3所述的钨塞填充方法，其特征在于，形成所述钨种子层的过程具体为：
采用低压化学气相淀积LPCVD工艺在所述孔洞内形成钨种子层。
7.根据权利要求6所述的钨塞填充方法，其特征在于，所述钨种子层的形成过程和所述钨膜层的形成过程在同一HDP反应腔体内进行。
8.根据权利要求7所述的钨塞填充方法，其特征在于，形成所述钨膜层后还包括：
平坦化所述钨膜层表面，使所述钨膜层表面与所述基底表面齐平，得到钨塞。
9.根据权利要求8所述的钨塞填充方法，其特征在于，所述钨塞内部填充良好，钨塞内部的钥匙孔缺陷不明显或消失。
10.一种采用权利要求1-9任一项所述的钨塞填充方法制造的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
