[发明专利]一种半导体器件加工设备无效
| 申请号： | 201110348348.6 | 申请日： | 2011-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103094155A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 张志刚;沈金栋 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 加工 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件加工设备，其特征在于，包括：
基座；
密封地内嵌于所述基座的加热装置，所述加热装置为直接产热体。
2.根据权利要求1所述的半导体器件加工设备，其特征在于，所述加热装置具体为连接有外接电源的若干电阻丝，所述电阻丝均匀的排布在所述基座内。
3.根据权利要求2所述的半导体器件加工设备，其特征在于，还包括与所述电阻丝相连的接地电源线。
4.根据权利要求2所述的半导体器件加工设备，其特征在于，还包括测温装置，所述测温装置包括显示终端以及检测终端。
5.根据权利要求4所述的半导体器件加工设备，其特征在于，所述检测终端具体为热电偶，所述热电偶密封地内嵌于所述基座。
6.根据权利要求5所述的半导体器件加工设备，其特征在于，所述热电偶为多个。
7.根据权利要求1所述的半导体器件加工设备，其特征在于，所述基座上表面设置有硅片安装槽。
8.根据权利要求1-7任一项所述的半导体器件加工设备，其特征在于，所述半导体器件加工设备为化学气相淀积设备、刻蚀设备或热氧化设备中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的半导体器件加工设备，其特征在于，所述半导体器件加工设备为型号为P5000的化学气相淀积设备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110348348.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
