[发明专利]制备氧化锌纳米线薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 201110347772.9 申请日: 2011-11-07
公开(公告)号: CN102503550A 公开(公告)日: 2012-06-20
发明(设计)人: 张亚非;戴振清;徐东;魏浩;魏良明 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C04B41/50 分类号: C04B41/50
代理公司: 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 代理人: 高为华
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 制备 氧化锌 纳米 薄膜 方法
【权利要求书】:

1.一种制备氧化锌纳米线薄膜的方法,其特征在于,包括以下工序:

a)用3-氨丙基三乙氧基硅烷对氧化锌纳米线进行表面修饰,得到经过表面修饰的氧化锌纳米线;

b)将所述经过表面修饰的氧化锌纳米线置于水中,进行超声分散,得到均匀的悬浊液;

c)将经过亲水性处理的带有二氧化硅层的硅片,置于所述悬浊液中,静置,得到所述氧化锌纳米线薄膜。

2.如权利要求1所述的制备氧化锌纳米线薄膜的方法,其特征在于,所述工序a)包括以下步骤:

a1)将所述3-氨丙基三乙氧基硅烷加入水中,得到3-氨丙基三乙氧基硅烷的水溶液;

a2)调节所述3-氨丙基三乙氧基硅烷的水溶液的pH值;

a3)向所述3-氨丙基三乙氧基硅烷的水溶液中加入所述氧化锌纳米线,进行超声处理;

a4)离心分离得到所述经过表面修饰的氧化锌纳米线。

3.如权利要求1所述的制备氧化锌纳米线薄膜的方法,其特征在于,所述步骤c)中的亲水性处理,包括以下步骤:

i)配制硫酸溶液和双氧水溶液的混合溶液;

ii)将经过清洗的所述带有二氧化硅层的硅片置于所述混合溶液中,在一定温度下煮一段时间;

iii)将所述带有二氧化硅层的硅片取出,用水清洗,并吹干。

4.如权利要求2所述的制备氧化锌纳米线薄膜的方法,其特征在于:在所述步骤a1)中,所述3-氨丙基三乙氧基硅烷与所述水的体积比为0.0125~0.025∶1。

5.如权利要求2所述的制备氧化锌纳米线薄膜的方法,其特征在于:在所述步骤a2)中,所述水溶液的pH值调节后为4~7。

6.如权利要求2所述的制备氧化锌纳米线薄膜的方法,其特征在于:在所述步骤a3)中,所述氧化锌纳米线与所述3-氨丙基三乙氧基硅烷的水溶液的质量体积比为1~3mg/mL。

7.如权利要求2所述的制备氧化锌纳米线薄膜的方法,其特征在于,在所述步骤a4)中,所述离心的转速为10000~15000rpm,时间为20~30min,次数为4~6次。

8.如权利要求1所述的制备氧化锌纳米线薄膜的方法,其特征在于,所述步骤b)中,所述经过表面修饰的氧化锌纳米线与所述水的质量体积比为0.2~0.5mg/mL。

9.如权利要求1所述的制备氧化锌纳米线薄膜的方法,其特征在于,所述步骤c)中,所述静置所用的时间为2~24h。

10.如权利要求3所述的制备氧化锌纳米线薄膜的方法,其特征在于,所述步骤i)中,所述硫酸溶液的浓度为98wt%,所述双氧水溶液的浓度为30wt%,所述硫酸溶液与所述双氧水溶液的体积比为2~3∶1;所述步骤ii)中,所述一定温度是80~100℃,所述一段时间是2~4h。

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