[发明专利]固态成像装置和电子设备有效
申请号: | 201110344609.7 | 申请日: | 2011-11-04 |
公开(公告)号: | CN102468315A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 西木户健树;长畑和典 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
1.一种固态成像装置,包括:
像素区域,形成在半导体衬底上;
该像素区域中的有效像素区域和遮蔽的光学黑色区域;
多层布线层,形成在该半导体衬底的光入射侧的相反侧的表面上;
支撑衬底,接合到该多层布线层侧的表面;以及
抗反射结构,形成在该支撑衬底的接合表面侧。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置,
其中该抗反射结构包括:
该支撑衬底的表面;
该支撑衬底的表面侧的绝缘膜;以及
设置在该支撑衬底和该绝缘膜之间的膜,该膜具有该支撑衬底的折射率和该绝缘膜的折射率之间的中间折射率。
3.根据权利要求1所述的固态成像装置,
其中该抗反射结构具有该支撑衬底的表面上的蛾眼结构。
4.根据权利要求3所述的固态成像装置,还包括:
平坦化膜,形成在该蛾眼结构的表面上,
其中该支撑衬底包括硅衬底,并且
该多层布线层和该支撑衬底彼此接合在该平坦化膜和该多层布线层之间。
5.一种电子设备,包括:
固态成像装置;
光学系统,将入射光引入到该固态成像装置的光电转换部分;以及
信号处理电路,处理该固态成像装置的输出信号,
该固态成像装置包括:像素区域,形成在半导体衬底上;该像素区域中的有效像素区域和遮蔽的光学黑色区域;多层布线层,形成在该半导体衬底的光入射侧的相反侧的表面上;支撑衬底,接合到该多层布线层侧的表面;以及抗反射结构,形成在该支撑衬底的接合表面侧。
6.根据权利要求5所述的电子设备,
其中该抗反射结构包括:
该支撑衬底的表面;
该支撑衬底的该表面侧的绝缘膜;以及
设置在该支撑衬底和该绝缘膜之间的膜,该膜具有该支撑衬底的折射率和该绝缘膜的折射率之间的中间折射率。
7.根据权利要求5所述的电子设备,
其中该抗反射结构具有该支撑衬底的表面上的蛾眼结构。
8.根据权利要求7所述的电子设备,还包括:
平坦化膜,形成在该蛾眼结构的表面上,
其中该支撑衬底包括硅衬底,并且
该多层配线层和该支撑衬底彼此接合在该平坦化膜和该多层配线层之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的