[发明专利]一种电容弗里希栅CdZnTe探测器的制备工艺

权利要求书

1.一种电容弗里希栅CdZnTe探测器的制备工艺，包括(1)CdZnTe晶体的表面处理、(2)化学腐蚀、(3)电极制备、(4)表面钝化、(5)清洗、(6)封装等工艺步骤，其特征在于，

(1)表面处理：采用不同型号的金刚砂多次研磨抛光CdZnTe晶体，将研磨好的CdZnTe晶体用丙酮去油超声清洗、去离子水超声清洗、烘干待用；

(2)化学腐蚀：将阳极面的阳极区域覆盖一层保护膜，将覆盖有保护膜的CdZnTe晶体置于溴甲醇溶液中化学腐蚀，腐蚀后的样品用甲醇淬灭，然后清洗掉保护膜、清洗CdZnTe晶体；

(3)电极制备：在CdZnTe晶体阳极覆盖保护膜的区域和阴极用真空镀膜法镀Au，使阳极面积小于阴极面积；

(4)表面钝化：将经过步骤(3)后的CdZnTe晶体置于氟化铵(NH₄F)、去离子水和双氧水的混合溶液中，其中混合溶液中的氟化铵(NH₄F)、去离子水和双氧水的比例为2.68g∶17ml∶8ml；

(5)清洗：钝化后用去离子水超声清洗、甲醇脱水、烘干；

(6)封装：采用绝缘膜和铜膜围绕在晶体侧面构成电容栅，引出探测器电极。

2.根据权利要求1所述的一种电容弗里希栅CdZnTe探测器的制备工艺，其特征在于，在所述的步骤(5)后置于烘箱中恒温老化。

3.根据权利要求1所述的一种电容弗里希栅CdZnTe探测器的制备工艺，其特征在于，所述的步骤(4)表面钝化5～30分钟。

4.根据权利要求1所述的一种电容弗里希栅CdZnTe探测器的制备工艺，其特征在于，所述的步骤(2)在溴甲醇溶液中化学腐蚀1～10分钟。

5.根据权利要求1所述的一种电容弗里希栅CdZnTe探测器的制备工艺，其特征在于，所述的步骤(2)中的溴甲醇溶液中溴含量为2％～5％。

6.根据权利要求1所述的一种电容弗里希栅CdZnTe探测器的制备工艺，其特征在于，在步骤(1)之前用热、冷的去离子水清洗所有用具。

7.根据权利要求1所述的一种电容弗里希栅CdZnTe探测器的制备工艺，其特征在于，在所述步骤(2)的化学腐蚀过程中采用恒温、匀速的转动CdZnTe晶体。

8.根据权利要求1所述的一种电容弗里希栅CdZnTe探测器的制备工艺，其特征在于，所述的保护膜为黑蜡。

9.根据权利要求1所述的一种电容弗里希栅CdZnTe探测器的制备工艺，其特征在于，所述步骤(4)中的去离子水的电阻值≥2MΩ。