[发明专利]一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构

权利要求书

1. 一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构，包括半导体基板，所述半导体基板上设置有源区（2）；其特征是：所述有源区（2）内设置对称分布的场氧区（17），所述场氧区（17）通过对应的有源区（2）隔离；所述有源区（2）内设有栅极端（1），场氧区（17）对称分布于栅极端（1）两侧；所述栅极端（1）包括中间部（19）及对称分布于所述中间部（19）上的大头端部（15），所述大头端部（15）的宽度大于中间部（19）的端部；有源区（2）上对应于中间部（19）的两侧设置源端（3）及漏端（4）。

2.根据权利要求1所述的抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构，其特征是：所述大头端部（15）与中间部（19）通过梯形栅极体（14）过渡连接。

3.根据权利要求1所述的抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构，其特征是：所述半导体基板上对应于有源区（2）的外圈设置第二导电类型注入保护区（6）。

4.根据权利要求1所述的抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构，其特征是：所述有源区（2）内对应于场氧区（17）间设置第一导电类型注入区（5），通过第一导电类型注入区（5）在中间部（19）的两侧分别形成源端（3）及漏端（4）。

5.根据权利要求1所述的抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构，其特征是：所述栅极端（1）的一端设置最小多晶硅条（13），所述最小多晶硅条（13）对应于与栅极端（1）的大头端部（15）相连的另一端设置栅极接触孔（16）。

6.根据权利要求1所述的抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构，其特征是：所述栅极端（1）对应中间部（19）的宽长比与常规MOS管栅极端的宽长比相一致。

7.根据权利要求1所述的抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构，其特征是：所述半导体基板的材料包括硅。