[发明专利]氮化镓基发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.氮化镓基发光二极管，其包括：

一衬底，

一半导体外延层沉积在衬底上，其至下而上包括n型半导体层，有源层，p型半导体层；

一第一透明电流扩展层形成于p型半导体层上；

一第一电极，形成于第一透明电流扩展层上，并位于外延层的中心区域；

一孔洞系列分布在第一电极的四周，其贯穿p型半导体层、有源层，底部位于n型半导体层；

一第一绝缘层，形成于第一透明电流扩展层上，并向孔洞系列的侧壁延伸，覆盖第一透明电流扩展层及孔洞系列的侧壁，露出第一电极及孔洞系列的底部的n型半导体层；

一第二透明电流扩展层形成于前述第一绝缘层上，并覆盖孔洞系列的底部；

所述第二秀明电流扩展层与第一电极隔离；

一第二电极形成于n型半导体层上。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述孔洞的数量至少两个。

3.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述孔洞的侧壁为弧线形。

4.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：还包括一第二绝缘层，形成于第二透明电流扩展层上。

5.一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其包括如下步骤：

    1）提供一衬底，在所述衬底的正表面上沉积一半导体外延层，其至下而上包括n型半导体层，有源层，p型半导体层；

    2）在p型半导体层上形成一第一透明电流扩展层；

    3）图形化第一透明电流扩展层表面，定义p电极区、n电极区及孔洞区，其中p电极区位于第一透明电流扩展层的中央区域，孔洞分布在p电极的四周，蚀刻孔洞区和n电极区的p型半导体层、有源层，直至露出n型半导体层，形成孔洞和n电极台面；

    4）在第一透明电流扩展层及孔洞的侧壁蒸镀一第一绝缘层，露出第一电极、孔洞底部的n型半导体层及n电极台面；

    5）在第一绝缘层上形成一第二透明电流扩展层，并向孔洞底部和n电极台面延伸；

    6）在p电极区的第一透明电流扩展层上形成p电极，在n电极台面的第二透明电流扩展层上形成n电极。

6.根据权利要求5所述的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于：还包括步骤7）：在第二透明电流扩展层上形成一第二绝缘层。

7.根据权利要求5所述的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤3）通过干蚀刻形成孔洞和n电极台面。

8.根据权利要求5所述的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于：步骤3）所述的孔洞的侧壁为弧形的。

9.根据权利要求8所述的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于：步骤3）通过干蚀刻，控制光刻胶的厚度，形成具有弧形侧壁的孔洞。

10.根据权利要求9所述的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于：其中涂抹在第一透明电流扩展层上的光刻胶的厚度为非均匀的。

11.根据权利要求10所述的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于：所述光刻胶呈现外凸型涂抹。

12.根据权利要求10或11所述的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于：孔洞区中心的光刻胶厚度最薄，内圈边缘开始逐渐向外变厚，在孔洞区的外圈处达到平衡厚度。