[发明专利]显示面板的像素结构及其制造方法

权利要求书

1.一种显示面板的像素结构，其形成于一基板上，其特征在于：所述像素结构包括：

像素电极；

第一晶体管，包括第一栅电极、第一源电极及第一漏电极，其中所述第一漏电极是电性连接于所述像素电极，所述第一源电极是电性连接于数据线；以及

第二晶体管，包括第二栅电极、第二源电极及第二漏电极，其中所述第二源电极是电性连接于第一栅极线，所述第二漏电极是电性连接于所述第一晶体管的所述第一栅电极，所述第二栅电极是电性连接于第二栅极线。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述第二栅极线是平行于所述第一栅极线。

3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于：所述第二栅电极是由部分的所述第二栅极线所形成。

4.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于：所述第二源电极是由所述第一栅极线延伸出。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述第二栅极线是平行于所述数据线。

6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于：所述第二栅电极通过第一接孔来电性连接于所述第二栅极线。

7.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于：所述第二源电极通过第二接孔来电性连接于所述第一栅极线。

8.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于：第二漏电极通过第三接孔来电性连接于第一栅电极。

9.一种像素结构的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括如下步骤：

形成第一电极及第二电极于基板上；

形成第一栅极绝缘层于所述第一电极上；

形成半导体层于所述第一栅极绝缘层及所述第二电极上；

形成第一源电极及第一漏电极于所述半导体层上，其中所述第一源电极及所述第一漏电极是对位于所述第一电极，而部分所述第一电极是作为第一栅电极；

形成第二栅极绝缘层于所述半导体层上，其中所述第二栅极绝缘层是对位于所述第二电极及另一部分的所述第一电极；

形成第二栅电极于所述第二栅极绝缘层上，其中所述第二电极是作为第二源电极，所述另一部分的所述第一电极是作为第二漏电极；以及

形成像素电极，其中所述像素电极是电性连接于所述第一漏电极。

10.一种像素结构的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括如下步骤：

形成第一栅电极及第二栅电极于基板上；

形成栅极绝缘层于所述第一栅电极及所述第二栅电极上；

形成第一半导体层及第二半导体层于栅极绝缘层上，其中所述第一半导体层是对位于所述第一栅电极，所述第二半导体层是对位于所述第二栅电极；

形成第一源电极及第一漏电极于所述第一半导体层上；

形成第二源电极及第二漏电极于所述第二所述半导体层上，其中所述第二漏电极是通过接孔来电性连接于所述第一栅电极；以及

形成像素电极，其中所述像素电极是电性连接于所述第一漏电极。