[发明专利]双极结型晶体管

权利要求书

1.一种双极结型晶体管，包含有：

射极区；

基极区；

第一隔离区，位于所述射极区与所述基极区之间；

栅极，位于所述第一隔离区上，并且与所述射极区至少部分的外围重叠；

集极区；以及

第二隔离区，位于所述基极区与所述集极区之间。

2.如权利要求1所述的双极结型晶体管，其特征在于，还包括射极金属硅化物层，位于所述射极区上。

3.如权利要求2所述的双极结型晶体管，其特征在于，所述射极金属硅化物层不会形成于所述第一隔离区与所述射极区之间的凹部中。

4.如权利要求1所述的双极结型晶体管，其特征在于，所述栅极包括多晶硅层以及至少一侧壁间隔物。

5.如权利要求4所述的双极结型晶体管，其特征在于，所述栅极还包括栅极介电层，位于所述多晶硅层与所述射极区之间。

6.如权利要求1所述的双极结型晶体管，其特征在于，所述栅极环绕所述射极区。

7.如权利要求1所述的双极结型晶体管，其特征在于，通过在所述栅极上施加栅极电压，以控制所述双极结型晶体管的基射极间电压。

8.如权利要求1所述的双极结型晶体管，其特征在于，所述栅极为电浮置形式。

9.如权利要求1所述的双极结型晶体管，其特征在于，所述栅极为P+掺杂多晶硅栅极。

10.如权利要求1所述的双极结型晶体管，其特征在于，还包括基极金属硅化物层，位于所述基极区上，以及集极金属硅化物层，位于所述集极区上。

11.一种双极结型晶体管，包括：

射极区；

基极区；

第一隔离区，位于所述射极区与所述基极区之间；

栅极，位于所述第一隔离区上，其中所述栅极的侧壁间隔物填入所述第一隔离区与所述射极区之间的凹部中；

集极区；以及

第二隔离区，位于所述基极区与所述集极区之间。

12.如权利要求11所述的双极结型晶体管，其特征在于，还包括射极金属硅化物层，位于所述射极区上。

13.如权利要求12所述的双极结型晶体管，其特征在于，所述射极金属硅化物层不会形成于所述凹部中，且所述射极金属硅化物层与所述侧壁间隔物接触。

14.如权利要求11所述的双极结型晶体管，其特征在于，所述栅极还包括多晶硅层。

15.如权利要求11所述的双极结型晶体管，其特征在于，所述栅极环绕所述射极区。

16.如权利要求11所述的双极结型晶体管，其特征在于，通过在所述栅极上施加栅极电压，以控制所述双极结型晶体管的基射极间电压。

17.如权利要求16所述的双极结型晶体管，其特征在于，所述栅极电压为负电压。

18.如权利要求11所述的双极结型晶体管，其特征在于，所述栅极为电浮置形式。

19.如权利要求11所述的双极结型晶体管，其特征在于，所述栅极为P+掺杂多晶硅栅极。

20.如权利要求11所述的双极结型晶体管，其特征在于，还包括基极金属硅化物层，位于所述基极区上，以及集极金属硅化物层，位于所述集极区上。