[发明专利]一种有机微纳结构定向生长的制备方法

权利要求书

1.一种有机微纳结构定向生长的制备方法，其特征在于，以有机化合物与吸附剂为有机原料，利用物理气相沉积法，基于具有表面周期光栅结构的衬底制备定向准直生长的有机微纳米线，通过光栅对有机微纳米线的生长条件进行控制，获得以周期结构呈定向准直生长的有机微纳米线。

2.根据权利要求1所述的有机微纳结构定向生长的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体为，通过控制物理气相沉积法中的载气气流和腔室气压，使有机化合物在其升华温度下蒸发，并由载气气流运送至沉积区，调节沉积区光栅的放置高度，在光栅基底的诱导下，沿着光栅沟道自组装成高度准直的微纳米线。

3.根据权利要求2所述的有机微纳结构定向生长的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体包括下述步骤：

将有机化合物与吸附剂以1:10-1:100的质量比混合均匀后装入容器中，置于物理气相沉积装置的中间加热区；

然后将光栅基底置于物理气相沉积装置的低温沉积区，将载气引入管腔内，保持稳定的气流流速和气压，升温至400℃～450℃之间一个稳定的温度后保温一段时间；

待生长结束后，且腔体温度降至室温时取出样品，即得定向生长的有机微纳米线。

4.   根据权利要求3所述的有机微纳结构定向生长的制备方法，其特征在于，所述的有机化合物为分子量为576.07 g/mol的酞箐铜化合物。

5.   根据权利要求3所述的有机微纳结构定向生长的制备方法，其特征在于，所述的吸附剂为分子量为101.96 g/mol、颗粒大小为100-200目的中性氧化铝粉末。

6.根据权利要求3所述的有机微纳结构定向生长的制备方法，其特征在于，所述容器为瓷舟。

7.根据权利要求3所述的有机微纳结构定向生长的制备方法，其特征在于，光栅通过压印或者刻蚀的方法在聚合物、玻璃、石英，或者硅片上制得，光栅密度为500至5000线。

8.   根据权利要求3所述的有机微纳结构定向生长的制备方法，其特征在于，所述气流为氩气或氩氢气，气压为220 Pa。

9.   根据权利要求3所述的有机微纳结构定向生长的制备方法，其特征在于，所述升温至的一个稳定温度为420℃。

10.根据权利要求3所述的有机微纳结构定向生长的制备方法，其特征在于，所述的保温时间是1-3小时。