[发明专利]一种高速锗硅HBT器件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种高速锗硅HBT器件结构，包括：P型衬底上形成有集电区和浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离位于集电区两侧；其特征是：

基区和外延介质层非对称的分布于所述集电区和浅沟槽隔离上方，所述基区与外延介质层相邻且部分基区位于所述外延介质层上方，所述基区与外延介质层两侧具有基区隔离侧墙；发射区和发射区介质层位于所述基区上方，所述发射区与发射区介质层相邻且部分发射区位于所述发射区介质层上方，所述发射区与发射区介质层两侧具有发射区隔离侧墙；所述基区、发射区和集电区分别通过接触孔引出连接金属连线。

2.如权利要求1所述的高速锗硅HBT器件结构，其特征是：所述集电区具有磷或砷杂质。

3.如权利要求1所述的高速锗硅HBT器件结构，其特征是：所述外延隔离介质层厚度为50埃至300埃。

4.如权利要求1所述的高速锗硅HBT器件结构，其特征是：所述发射区具有磷或砷杂质。

5.如权利要求1所述的高速锗硅HBT器件结构，其特征是：所述基区具有硼或二氟化硼杂质。

6.一种高速锗硅HBT器件结构的制造方法，其特征是，包括：

(1)在P型衬底上制作浅沟槽隔离，在浅沟槽隔离中填充氧化物，形成场氧；

(2)注入形成集电区，淀积二氧化硅作为介质层；

(3)刻蚀去除部分介质层，生长锗硅外延层；

(4)再次淀积二氧化硅作为介质层，刻蚀去除部分介质层，淀积发射区多晶硅，注入磷或砷杂质，刻蚀形成发射区和发射区介质层；

(5)对锗硅外延层注入硼或二氟化硼，刻蚀形成基区和外延介质层；

(6)制作发射区隔离侧墙和基区隔离侧墙；

(7)将基区、发射区和集电区分别通过接触孔引出连接金属连线。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征是：实施步骤(2)时，注入杂质为磷或砷，剂量为1e¹²cm^-2至5e¹⁴cm^-2，能量为20KeV至400KeV。

8.如权利要求6所述的制造方法，其特征是：实施步骤(2)时，淀积外延介质层厚度为50埃至300埃。

9.如权利要求6所述的制造方法，其特征是：实施步骤(4)时，注入磷或砷杂质的剂量为5e¹⁴cm^-2至1e¹⁶cm^-2，能量为20KeV至400KeV。

10.如权利要求6所述的制造方法，其特征是：实施步骤(5)时，注入硼或二氟化硼的剂量为5e¹⁴cm^-2至1e¹⁶cm^-2，能量为5KeV至20KeV。