[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110342604.0 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102487080A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 今西健治;吉川俊英 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 章侃铱;张浴月 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种化合物半导体器件，包括：
衬底；
第一AlGaN层，形成在所述衬底的上方；
第二AlGaN层，形成在所述第一AlGaN层的上方；
电子渡越层，形成在所述第二AlGaN层的上方；以及
电子供应层，形成在所述电子渡越层的上方，其中，
当所述第一AlGaN层的构成由Alx1Ga1-x1N表示，所述第二AlGaN层的构成由Alx2Ga1-x2N表示时，“0≤x1＜x2≤1”的关系成立，并且
存在于所述第二AlGaN层的上表面处的负电荷多于存在于所述第二AlGaN层的下表面处的正电荷。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中，所述第二AlGaN层的下表面比所述第二AlGaN层的上表面更为粗糙。
3.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中，所述x2的值与所述第二AlGaN层的厚度t(nm)的乘积值“x2×t”为0.5至30。
4.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中，所述第一AlGaN层包含减少载流子浓度的杂质。
5.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中，所述电子渡越层的厚度为10nm至100nm。
6.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，还包括：
凹陷，形成在所述电子供应层处；
绝缘膜，形成在所述凹陷中；以及
栅极，形成在所述凹陷中的所述绝缘膜上。
7.一种电源装置，包括：
化合物半导体器件，
其中，所述化合物半导体器件包括：
衬底；
第一AlGaN层，形成在所述衬底的上方；
第二AlGaN层，形成在所述第一AlGaN层的上方；
电子渡越层，形成在所述第二AlGaN层的上方；以及
电子供应层，形成在所述电子渡越层的上方，
其中，当所述第一AlGaN层的构成由Alx1Ga1-x1N表示，所述第二AlGaN层的构成由Alx2Ga1-x2N表示时，“0≤x1＜x2≤1”的关系成立，并且
存在于所述第二AlGaN层的上表面处的负电荷多于存在于所述第二AlGaN层的下表面处的正电荷。
8.一种高功率放大器，包括：
化合物半导体器件，
其中，所述化合物半导体器件包括：
衬底；
第一AlGaN层，形成在所述衬底的上方；
第二AlGaN层，形成在所述第一AlGaN层的上方；
电子渡越层，形成在所述第二AlGaN层的上方；以及
电子供应层，形成在所述电子渡越层的上方，
其中，当所述第一AlGaN层的构成由Alx1Ga1-x1N表示，所述第二AlGaN层的构成由Alx2Ga1-x2N表示时，“0≤x1＜x2≤1”的关系成立，并且
存在于所述第二AlGaN层的上表面处的负电荷多于存在于所述第二AlGaN层的下表面处的正电荷。
9.一种化合物半导体器件的制造方法，包括：
在衬底的上方形成第一AlGaN层；
在所述第一AlGaN层的上方形成第二AlGaN层；
在所述第二AlGaN层的上方形成电子渡越层；以及
在所述电子渡越层的上方形成电子供应层，其中
当所述第一AlGaN层的构成由Alx1Ga1-x1N表示，所述第二AlGaN层的构成由Alx2Ga1-x2N表示时，“0≤x1＜x2≤1”的关系成立，并且
存在于所述第二AlGaN层的上表面处的负电荷多于存在于所述第二AlGaN层的下表面处的正电荷。
10.根据权利要求9所述的化合物半导体器件的制造方法，其中，所述第二AlGaN层的下表面比所述第二AlGaN层的上表面更为粗糙。
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