[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，该发光结构包括：第一半导体层，第二半导体层，和插入在该第一半导体层与第二半导体层之间的有源层；

第一电极，电连接至该第一半导体层；

第二电极，电连接至该第二半导体层；以及

第一反射层，被设置在该第二半导体层上，该第一反射层包括至少一个具有第一折射率的第一层以及具有不同于该第一折射率的第二折射率的第二层；

其中，该第一反射层被进一步设置在该第二电极的侧表面上和该第二电极的部分顶表面上。

2.一种发光器件，包括：

发光结构，该发光结构包括：第一半导体层，第二半导体层，和插入在该第一半导体层与第二半导体层之间的有源层；

第一电极，电连接至该第一半导体层；

第二电极，被设置在该第二半导体层上，该第二电极包括：第二电极焊盘，被设置在该第二半导体层的一侧；以及至少一个第二电极翼，其连接至该第二电极焊盘，同时沿与该第二电极焊盘相反的方向延伸；以及

第一反射层，被设置在该第二半导体层上，该第一反射层包括至少一个具有第一折射率的第一层以及具有不同于该第一折射率的第二折射率的第二层；

其中，该第一反射层从该发光结构的顶表面沿着该第二电极焊盘的侧表面延伸至该第二电极焊盘的部分顶表面。

3.一种发光器件，包括：

发光结构，该发光结构包括：第一半导体层，第二半导体层，和插入在该第一半导体层与第二半导体层之间的有源层；

第一电极，电连接至该第一半导体层；

第二电极，被设置在该第二半导体层上，该第二电极包括：第二电极焊盘，被设置在第二半导体层的一侧；以及至少一个第二电极翼，其连接至该第二电极焊盘，同时沿与该第二电极焊盘相反的方向延伸；

第一反射层，被设置在该第二半导体层上，该第一反射层包括至少一个具有第一折射率的第一层以及具有不同于该第一折射率的第二折射率的第二层；以及

第二反射层，形成在该第二半导体层上，使得至少部分该第二反射层与该第二电极焊盘纵向重叠；

其中，该第一反射层从该发光结构的顶表面沿着该第二电极焊盘的侧表面延伸至该第二电极焊盘的部分顶表面。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，该第二反射层包括至少一个具有第一折射率的第一层以及具有不同于该第一折射率的第二折射率的第二层。

5.根据权利要求1、2和4中任一项所述的发光器件，其中，该第一反射层的第一层和第二层或者该第二反射层的第一层和第二层反复交替地层叠。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，还包括：

透光电极层，形成在该第一反射层与该发光结构之间。

7.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中，该第二电极焊盘的侧表面包括倾斜表面或台阶。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，还包括：

衬底，被设置在该发光结构之下；以及

表面不规则图案，形成在该衬底的下表面上，以实现光提取效率的提高。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中，该第一半导体层的部分顶表面被暴露；

其中，该第一电极被设置在该第一半导体层的暴露的顶表面部分上；以及

其中，该第一电极包括：第一电极焊盘，被设置为与该第二电极焊盘相对；以及至少一个第一电极翼，其连接至该第一电极焊盘，同时沿与该第一电极焊盘相反的方向延伸。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，该第一反射层被进一步设置在该第一半导体层的顶表面上，从该第二半导体层的顶表面沿着该第二半导体层的侧表面和该有源层的侧表面延伸至该第一半导体层的顶表面。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其中，该第一反射层从该第一半导体层的顶表面沿着该第一电极翼的侧表面延伸至该第一电极翼的部分顶表面。

12.根据权利要求10所述的发光器件，其中，该第一反射层从该第一半导体层的顶表面沿着该第一电极焊盘的侧表面延伸至该第一电极焊盘的部分顶表面。