[发明专利]提升SONOS 器件数据保持力的方法以及SONOS 器件结构

权利要求书

1.一种提升SONOS器件数据保持力的方法，所述SONOS器件包括依次邻接的栅极硅、顶层氧化硅层、氮化硅层、隧穿氧化硅层、以及衬底硅层，其特征在于所述提升SONOS器件数据保持力的方法包括：使得所述氮化硅层中靠近所述顶层氧化硅层及所述隧穿氧化硅层的氮化硅区域的Si/N比大于所述氮化硅层中间部分的Si/N比。

2.根据权利要求1所述的提升SONOS器件数据保持力的方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度层至少为40A。

3.根据权利要求1或2所述的提升SONOS器件数据保持力的方法，其特征在于，通过低压化学气相沉积来形成所述氮化硅层，并且，在低压化学气相沉积中，所述氮化硅层每分钟的生长厚度为2A-6A。

4.根据权利要求1或2所述的提升SONOS器件数据保持力的方法，其特征在于，所述氮化硅层中靠近所述顶层氧化硅层及所述隧穿氧化硅层的氮化硅区域的Si/N比不小于0.4。

5.一种SONOS器件结构，所述SONOS器件包括依次邻接的栅极硅、顶层氧化硅层、氮化硅层、隧穿氧化硅层、以及衬底硅层，其特征在于，所述氮化硅层中靠近所述顶层氧化硅层及所述隧穿氧化硅层的氮化硅区域的Si/N比大于所述氮化硅层中间部分的Si/N比。

6.根据权利要求5所述的SONOS器件结构，其特征在于，所述氮化硅层的厚度层至少为40A。

7.根据权利要求5或6所述的SONOS器件结构，其特征在于，所述氮化硅层是通过低压化学气相沉积形成的，并且，在低压化学气相沉积中，所述氮化硅层每分钟的生长厚度为2A-6A。

8.根据权利要求5或6所述的SONOS器件结构，其特征在于，所述氮化硅层中靠近所述顶层氧化硅层及所述隧穿氧化硅层的氮化硅区域的Si/N比不小于0.4。