[发明专利]原位水汽生成工艺实时检测方法有效
申请号: | 201110342051.9 | 申请日: | 2011-11-02 |
公开(公告)号: | CN102427045A | 公开(公告)日: | 2012-04-25 |
发明(设计)人: | 张永福;许忠义 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 原位 水汽 生成 工艺 实时 检测 方法 | ||
1.一种原位水汽生成工艺实时检测方法,其特征在于,包括:
采用Quantox测量机台对多层膜结构中总的氧化层厚度进行多次测量,并分别记录所述氧化层厚度及其对应的氧化时间;
根据所述氧化层厚度T与所述氧化时间t的关系满足:T=k*t+m,判断在随后的生产中所测量的氧化层厚度T与对应的氧化时间t是否满足相同的线形关系;
若所测量的多个氧化层厚度T与其对应的氧化时间t不满足相同的线形关系,对氧化层的生长进行调整,并重复上述步骤,直至氧化层厚度T与其各自对应的氧化时间t满足相同的线形关系。
2.如权利要求1所述的原位水汽生成工艺实时检测方法,其特征在于,对于相同的膜层结构,所述氧化层厚度T与所述氧化时间t的线性比率k仅与用于生长氧化层的第一材料层的氧化率有关。
3.如权利要求2所述的原位水汽生成工艺实时检测方法,其特征在于,所述第一材料层为氮化硅。
4.如权利要求1所述的原位水汽生成工艺实时检测方法,其特征在于,至少采用Quantox测量机台测量三组氧化层厚度及其对应的氧化时间。
5.如权利要求1所述的原位水汽生成工艺实时检测方法,其特征在于,所述判断所测量的氧化层厚度T与对应的氧化时间t是否满足相同的线形关系包括:分别根据所测量的氧化层厚度T和对应的氧化时间t计算其对应的线形比率k,当所计算的线形比率k相同时,则所述氧化层厚度T与对应的氧化时间t满足相同的线形关系。
6.如权利要求1所述的原位水汽生成工艺实时检测方法,其特征在于,所述判断所测量的氧化层厚度T与对应的氧化时间t是否满足相同的线形关系包括:根据所测量的任意两组氧化层厚度及其对应的氧化时间的值,绘出线性曲线;当所测量的其它氧化层厚度及其对应的氧化时间落在所绘出的线性曲线或其延长线上时,则氧化层厚度T与对应的氧化时间t满足相同的线性关系。
7.如权利要求1所述的原位水汽生成工艺实时检测方法,其特征在于,所述测量的多组氧化层厚度T与其对应的氧化时间t不满足相同的线形关系包括:各组氧化层厚度T与其对应的氧化时间t之间的线性比率相差很大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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