[发明专利]用于图像传感器的传输管结构以及图像传感器有效
| 申请号： | 201110341943.7 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102413288B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 巨晓华;饶金华;张克云 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H04N5/369;H04N5/374 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 图像传感器 传输 结构 以及 | ||
1.一种用于图像传感器的传输管结构，其特征在于包括：第一传输管(TX1)和第二传输管(TX2)；其中所述第一传输管(TX1)的第一浮置扩散区(FD1)和所述第二传输管(TX2)的第二浮置扩散区(FD2)置于所述图像传感器的感光元件的两端，并且第一浮置扩散区(FD1)和第二浮置扩散区(FD2)之间设置开关(SW)；所述开关(SW)开启时，所述第一浮置扩散区(FD1)和所述第二浮置扩散区(FD2)联通，所述开关(SW)关闭时，所述第一浮置扩散区(FD1)和所述第二浮置扩散区(FD2)隔断。
2.一种改进的具有高动态范围的图像传感器，其特征在于包括：构成传输管结构的第一传输管(TX1)和第二传输管(TX2)、光感元件、以及开关(SW)；其中,所述第一传输管(TX1)与所述第二传输管(TX2)均与所述光感元件相连；并且所述第一传输管(TX1)的第一浮置扩散区(FD1)和所述第二传输管(TX2)的第二浮置扩散区(FD2)分别连接至所述开关(SW)的两端。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于还包括：重置晶体管(Reset)、源跟随晶体管(SF)、输出晶体管(RS)、以及负载(RL)；其中，所述第一传输管(TX1)的第一浮置扩散区(FD1)连接至所述源跟随晶体管(SF)的栅极以及所述重置晶体管(Reset)的源极；并且所述重置晶体管(Reset)的漏极与所述源跟随晶体管(SF)的源极相连；并且所述源跟随晶体管(SF)的漏极连接至所述输出晶体管(RS)的源极，所述输出晶体管(RS)的漏极连接至所述负载(RL)。
4.根据权利要求2或3所述的图像传感器，其特征在于，所述光感元件是光电二极管(PD)。
5.根据权利要求2或3所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器是CMOS图像传感器。
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