[发明专利]一种由非晶硅/晶体硅/β-FeSi2组成的异质结太阳电池

权利要求书

1.一种由非晶硅/晶体硅/β-FeSi₂组成的异质结太阳电池，其特征在于：包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、p+型非晶硅层、p型晶体硅层、i型β-FeSi₂层、n+型非晶硅层和背金属电极，形成P⁺PIN⁺异质结结构。

2.如权利要求1所述由非晶硅/晶体硅/β-FeSi₂组成的异质结太阳电池，其特征在于：所述受光面电极为Al、Ag、Au、Ni、Cu/Ni、Al/Ni或Ti/Pd/Ag电极，其厚度为100nm～400um。

3.如权利要求1所述由非晶硅/晶体硅/β-FeSi₂组成的异质结太阳电池，其特征在于：所述透明导电层可采用ITO、AZO、FTO或其它元素掺杂的InO₃、SnO₂、ZnO中的任意一种或几种的组合，其厚度为60um～120um。

4.如权利要求1所述由非晶硅/晶体硅/β-FeSi₂组成的异质结太阳电池，其特征在于：所述p+型非晶硅层可以是p型重掺杂的非晶硅层，也可以是本征非晶硅过渡层与p型重掺杂的非晶硅层形成的双层或多层结构。

5.如权利要求1所述由非晶硅/晶体硅/β-FeSi₂组成的异质结太阳电池，其特征在于：所述p+非晶硅层可采用p型掺杂的a-Si:H、a-SiC:H、a-SiO:H、uc-Si:H、uc-SiC:H或uc-SiO:H中的任意一种或几种组合。

6.如权利要求1所述由非晶硅/晶体硅/β-FeSi₂组成的异质结太阳电池，其特征在于：所述p型晶体硅层可以是p型单晶硅，或者是p型多晶硅，其电阻率为0.5～500Ωcm，厚度为20um～250um。

7.如权利要求1所述由非晶硅/晶体硅/β-FeSi₂组成的异质结太阳电池，其特征在于：所述i型β-FeSi₂层为本征β-FeSi₂，禁带宽度在0.80～0.92eV，其厚度为20nm～4um。

8.如权利要求1所述由非晶硅/晶体硅/β-FeSi₂组成的异质结太阳电池，其特征在于：所述n+型非晶硅层可以是n型重掺杂的非晶硅层，也可以是本征非晶硅过渡层与n型重掺杂的非晶硅层形成的双层或多层结构。

9.如权利要求1所述由非晶硅/晶体硅/β-FeSi₂组成的异质结太阳电池，其特征在于：该n+非晶硅层可采用n型掺杂的a-Si:H、a-SiC:H、a-SiO:H、uc-Si:H、uc-SiC:H或uc-SiO:H中的任意一种或几种组合。

10.如权利要求1所述由非晶硅/晶体硅/β-FeSi₂组成的异质结太阳电池，其特征在于：所述背电极为Al、Ag、Au、Ni、Cu/Ni、Al/Ni或Ti/Pd/Ag电极，其厚度为20nm～100um，优选厚度为1um～50um。