[发明专利]一种薄膜\晶硅叠层太阳电池及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜/晶硅叠层太阳电池，其特征在于：它采用双结叠层电池结构，底电池为晶硅电池，顶电池为硅薄膜电池；晶硅电池采用n型硅片衬底作为基区，正表面采用高温扩散形成p型层作为发射区，背表面沉积钝化层和背电极；硅薄膜电池沉积在晶硅电池正表面上，沉积顺序为n型层、本征层、p型层；在硅薄膜电池p型层上沉积透明导电薄膜，在透明导电膜上设置前电极。

2.如权利要求1所述的一种薄膜/晶硅叠层太阳电池，其特征在于：所述叠层电池为双结叠层电池，由底电池和顶电池组成。

3.如权利要求1所述的一种薄膜/晶硅叠层太阳电池，其特征在于：所述底电池为晶硅电池，顶电池为硅薄膜电池。

4.如权利要求1所述太阳电池，其n型硅片可以是单晶硅片也可以是多晶硅片。

5.如权利要求1所述的太阳电池，其硅薄膜可以是a-Si:H、a-SiC:H、a-SiO:H、uc-Si:H、uc-SiC:H或uc-SiO:H中的任意一种或几种组合。

6.一种薄膜/晶硅叠层太阳电池的制备方法，其步骤包括：

1)在n型硅片正表面采用高温扩散形成p型扩散层；

2)采用常规工艺去背结和表面硼硅玻璃，并对硅片进行清洗；

3)在n型硅片背面沉积硅薄膜形成钝化层；

4)在钝化层表面沉积导电膜作为背电极；

5)然后，在晶硅太阳电池p型扩散层上用依次沉积硅薄膜形成n型层、本征层、p型层；

6)最后在硅薄膜电池p型层表面沉积透明导电薄膜，并在其上设置前电极。