[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电类型的半导体衬底，其具有第一主面和第二主面；

第二导电类型的扩散层，其呈平面晶格图案地形成在所述第一主面上；

V形槽，其呈平面晶格图案地形成在所述第二主面的一侧上，所述平面晶格图案的间距与所述扩散层的平面晶格图案的间距相同，且所述V形槽包括与所述第二主面平行且露出所述扩散层的底面以及从所述底面竖立的锥形侧面；

第二导电类型的半导体层，其形成在所述第二主面上且被锥形侧面包围；以及

第二导电类型的隔离层，其形成在所述V形槽的侧面上，所述隔离层电连接所述第一主面侧上的第二导电类型的所述扩散层与所述第二主面上的第二导电类型的所述半导体层；其中

所述V形槽在所述V形槽侧面的隅角部与所述V形槽底面之间的交叉处附近具有倒棱配置。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述倒棱配置是曲面。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述倒棱配置的曲面具有至少50μm的曲率半径。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是反向阻断型绝缘栅双极型晶体管。

5.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

第一步骤，在第一导电类型的半导体衬底的第一主面上形成呈平面晶格图案的第二导电类型的扩散层，所述半导体衬底具有(100)面的第一主面和第二主面；

第二步骤，通过各向异性蚀刻处理在第二主面上形成呈平面晶格图案的V形槽，所述平面晶格图案的间距与所述扩散层的平面晶格图案的间距相同，且所述V形槽包括与所述第二主面平行且露出第二导电类型的所述扩散层的底面以及从所述底面竖立的锥形侧面；

第三步骤，通过选自激光照射处理和各向同性蚀刻处理的处理在所述V形槽侧面的隅角部与所述V形槽底面之间的交叉处附近形成倒棱配置；

第四步骤，其为用于在所述V形槽的侧面上形成第二导电类型的隔离层的离子注入步骤，所述隔离层的一端连接至第二导电类型的所述扩散层；

第五步骤，其为用于在由所述V形槽的侧面包围的所述第二主面上形成第二导电类型的半导体层的离子注入步骤，所述半导体层连接至所述V形槽侧面上的第二导电类型的所述隔离层的另一端；以及

第六步骤，其为通过选自激光照射退火处理、低温退火处理及闪光灯退火处理的至少一种退火处理在所述第四步骤和所述第五步骤的离子注入后进行激活的退火步骤。

6.如权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，同时执行用于形成第二导电类型的所述隔离层的所述第四步骤的离子注入和用于形成第二导电类型的所述半导体层的所述第五步骤的离子注入，且在同时执行离子注入处理后同时执行单独的激活处理。

7.如权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，针对用于形成第二导电类型的所述隔离层的所述第四步骤的离子注入后的激活处理、用于形成第二导电类型的所述半导体层的所述第五步骤的离子注入后的激活处理、以及所述第三步骤的倒棱同时执行单个激光照射处理。

8.如权利要求7所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，针对用于形成第二导电类型的所述隔离层的所述第四步骤的离子注入、和用于形成第二导电类型的所述半导体层的所述第五步骤的离子注入，同时执行单独的离子注入处理。