[发明专利]凸出结构与形成凸出结构的方法

权利要求书

1.一种凸出结构，其特征在于，包含：

基材；以及

凸出物，位在所述基材上并具有顶面、底面和倾斜侧壁，其中所述顶面具有不大于32nm的顶宽。

2.如权利要求1所述的凸出结构，其特征在于，所述基材为半导体基材。

3.如权利要求1所述的凸出结构，其特征在于，所述凸出物包含选自金属、半导体材料和绝缘材料所组成群组的材料。

4.如权利要求1所述的凸出结构，其特征在于，所述凸出物的形状为楔形与梯形体的至少一者。

5.如权利要求1所述的凸出结构，其特征在于，所述凸出物的形状为角锥体与截头角锥的至少一者。

6.如权利要求1所述的凸出结构，其特征在于，所述凸出物的形状为金字塔型。

7.如权利要求1所述的凸出结构，其特征在于，所述凸出物具有大于所述顶宽至少一倍的高度。

8.如权利要求1所述的凸出结构，其特征在于，所述凸出物形成一感应器。

9.如权利要求1所述的凸出结构，其特征在于，所述凸出物形成一微机电结构。 

10.如权利要求1所述的凸出结构，其特征在于，更包含位于所述基材上的多个所述凸出物。

11.一种凸出结构，其特征在于，包含：

一基材；以及

一凸出物，位于所述基材上并具有一顶面、一底面与一倾斜侧壁，其中所述底面的面积大于所述顶面的面积至少10倍。

12.如权利要求11所述的凸出结构，其特征在于，所述凸出物的形状为楔形与梯形体的至少一者。

13.如权利要求11所述的凸出结构，其特征在于，所述凸出物的形状为角锥体与截头角锥的至少一者。

14.如权利要求11所述的凸出结构，其特征在于，所述凸出物的形状为金字塔型。

15.一种形成一凸出结构的方法，其特征在于，包含：

提供一基材与位于所述基材上，多个具有一第一材料与一预定底角的一倾斜结构，其中所述倾斜结构具有一倒梯形的形状；

形成具有一第二材料的一目标层以覆盖所述基材，并位于所述倾斜结构之间，其中所述第一材料与所述第二材料各不相同；

完全移除所述倾斜结构；以及

进行一修整步骤，以部分移除所述目标层，而形成位于所述基材上，并具有一顶面、一底面与一倾斜侧壁的凸出物。 

16.如权利要求15所述的形成所述凸出结构的方法，其特征在于，所述顶面具有不大于32nm的一顶宽。

17.如权利要求15所述的形成所述凸出结构的方法，其特征在于，所述底面的面积大于所述顶面的面积至少10倍。

18.如权利要求15所述的形成所述凸出结构的方法，其特征在于，更包含：

形成位于所述基材上的一第一材料层；以及

在一掩膜的存在下，经由一第一材料刻蚀步骤移除所述第一材料，以形成具有一开口小于一底部的至少一凹穴，并位于所述倾斜结构之间。

19.如权利要求18所述的形成所述凸出结构的方法，其特征在于，所述第一材料刻蚀步骤为一高聚合物刻蚀步骤。

20.如权利要求15所述的形成所述凸出结构的方法，其特征在于，所述凸出物包含选自由一金属、一半导体材料与一绝缘材料所组成群组的一材料。

21.如权利要求15所述的形成所述凸出结构的方法，其特征在于，所述凸出物具有大于所述顶宽至少一倍的高度。