[发明专利]凸出结构与形成凸出结构的方法

权利要求书

1.一种凸出结构，其特征在于，包含：

基材；以及

凸出物，位于所述基材上并具有一圆角化的垂直侧壁、一凸出宽度与一凸出长度，其中所述凸出宽度与所述凸出长度其中的至少一者具有不大于33nm。

2.如权利要求1所述的凸出结构，其特征在于，所述基材为半导体基材。

3.如权利要求1所述的凸出结构，其特征在于，所述凸出物包含选自金属、半导体材料与绝缘材料所组成群组的材料。

4.如权利要求1所述的凸出结构，其特征在于，所述凸出长度大于所述凸出宽度的至少一倍。

5.如权利要求1所述的凸出结构，其特征在于，所述凸出长度大约等于所述凸出宽度。

6.如权利要求1所述的凸出结构，其特征在于，所述凸出物具有至少小于所述凸出宽度一半的一凸出高度。

7.如权利要求1所述的凸出结构，其特征在于，所述凸出物形成一栅极结构。

8.如权利要求1所述的凸出结构，其特征在于，所述凸出物形成一微机电结构。

9.如权利要求1所述的凸出结构，其特征在于，还包含位于所述基材上的多个所述凸出物。

10.一种形成一凸出结构的方法，其特征在于，包含：

提供一基材，与位于所述基材上，多个包含一第一材料并且彼此相隔一预定距离的一倾斜结构；

形成包含一第二材料的一目标层以覆盖所述基材与所述倾斜结构，其中所述第一材料与所述第二材料各不相同；

进行一刻蚀步骤，以部分移除所述目标层，而暴露出所述倾斜结构；以及

进行一修整步骤，以完全移除所述倾斜结构并部分移除所述目标层，而形成具有一圆角、一垂直侧壁、一凸出宽度与一凸出长度的一凸出物，其中所述目标层较所述倾斜结构更容易在所述刻蚀步骤中被刻蚀，而所述凸出宽度与所述凸出长度其中的至少一者不大于33nm。

11.如权利要求10所述的形成一凸出结构的方法，其特征在于，更包含：

形成位于所述基材上的一第一材料层；以及

经由一第一材料层刻蚀步骤，在一掩膜的存在下部分移除该第一材料层，以形成具有一开口大于一底部的至少一凹穴，所述至少一凹穴位于所述倾斜结构之间。

12.如权利要求11所述的形成一凸出结构的方法，其特征在于，所述至少一凹穴的所述底部的宽度不大于33nm。

13.如权利要求10所述的形成一凸出结构的方法，其特征在于，所述至少一凹穴的所述底部的宽度大于所述凸出宽度。

14.如权利要求10所述的形成一凸出结构的方法，其特征在于，更包含：

形成一第三材料的一帽盖层以覆盖所述倾斜结构，其中所述第一材料、所述第二材料所述第三材料各不相同。

15.如权利要求14所述的形成一凸出结构的方法，其特征在于，更包含：进行所述刻蚀步骤，以完全移除所述帽盖层。

16.如权利要求14所述的形成一凸出结构的方法，其特征在于，所述帽盖层的厚度大约5nm。

17.如权利要求10所述的形成一凸出结构的方法，其特征在于，所述凸出物包含选自由一金属、一半导体材料与一绝缘材料所组成群组的一材料。

18.如权利要求10所述的形成一凸出结构的方法，其特征在于，所述凸出长度大于所述凸出宽度的至少一倍。

19.如权利要求10所述的形成一凸出结构的方法，其特征在于，所述凸出长度大约等于所述凸出宽度。

20.如权利要求10所述的形成一凸出结构的方法，其特征在于，所述凸出物具有至少小于所述凸出宽度一半的一凸出高度。