[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜晶体管探测器的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：

1)提供一基板，在所述基板上制作非晶硅层，然后对所述非晶硅层进行煺火以形成多晶硅层，接着刻蚀所述多晶硅层，以形成间隔排列的第一导电类型晶体管衬底、第二导电类型晶体管衬底、开关晶体管衬底及裸露基板；

2)在所述第一、第二导电类型晶体管衬底上制作驱动晶体管，在所述开关晶体管衬底上制作开关晶体管，在所述裸露基板的区域上制作光电二极管；

3)制作钝化层，刻蚀所述钝化层以形成用以制作所述驱动晶体管、开关晶体管、以及光电二极管各电极的接触孔，然后制作金属层并将其制作出所述驱动晶体管与开关晶体管的电极、互连电极、所述开关晶体管的遮光罩、及所述光电二极管的公共电极，以完成所述探测器的制备。

2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管探测器的制备方法，其特征在于，所述煺火为准分子激光煺火。

3.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤2)包括以下步骤：

2-1)在所述第一导电类型晶体管衬底制作NMOS管源区与NMOS管漏区；

2-2)在所述第一、第二导电类型晶体管衬底、开关晶体管衬底及所述裸露基板表面依次形成绝缘层及金属层，刻蚀所述金属层以在所述第一导电类型晶体管衬底上形成NMOS管栅电极，在第二导电类型晶体管衬底上形成PMOS管栅电极，在所述开关晶体管衬底上形成第一开关栅电极与第二开关栅电极，并同时在所述裸露基板上形成下电极；

2-3)在所述第二导电类型晶体管衬底制作PMOS管源区与PMOS管漏区以完成驱动晶体管的制备，然后在所述开关晶体管衬底制作第一、第二、第三P型掺杂区及第一、第二沟道区以完成开关晶体管的制备，接着在所述驱动晶体管与开关晶体管上制作保护层；

2-4)在所述下电极上制作光电二极管。

4.根据权利要求3所述的低温多晶硅薄膜晶体管探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤2-2)还包括对所述第一导电类型晶体管衬底进行轻掺杂源、漏的步骤。

5.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤2)包括以下步骤：

2-a)在所述开关晶体管衬底制作第一、第二、第三N型掺杂区及第一、第二沟道区，并在所述第二导电类型晶体管衬底制作NMOS管源区与NMOS管漏区；

2-b)在所述第一、第二导电类型晶体管衬底、开关晶体管衬底及所述裸露基板表面依次形成绝缘层及金属层，刻蚀所述金属层以在所述开关晶体管衬底上形成第一开关栅电极与第二开关栅电极以完成开关晶体管的制备，在所述第一导电类型晶体管衬底形成PMOS管栅电极、第二导电类型晶体管衬底上形成NMOS管栅电极，并同时在所述裸露基板上形成下电极；

2-c)在所述第一导电类型晶体管衬底制作PMOS管源区与PMOS管漏区以完成驱动晶体管的制备，然后在所述驱动晶体管与开关晶体管上制作保护层；

2-d)在所述下电极上制作光电二极管。

6.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤2-b)还包括对所述第二导电类型晶体管衬底与开关晶体管衬底进行轻掺杂源、漏的步骤。

7.根据权利要求2或5所述的低温多晶硅薄膜晶体管探测器的制备方法，其特征在于，所述光电二极管的制作包括步骤：

a)在所述下电极上制作N型非晶硅层；

b)在所述N型非晶硅层上制作非晶硅层；

c)在所示非晶硅层上制作P型非晶硅层；

d)在所述P型非晶硅层上制作上电极。

8.一种低温多晶硅薄膜晶体管探测器，其特征在于，至少包括：

基板；

位于所述基板上表面一侧的像素单元，包括光电二极管以及与所述光电二极管电性连接的开关晶体管；

位于所述基板上表面另一侧的驱动晶体管，电性连接于所述开关晶体管。

9.根据权利要求8所述的低温多晶硅薄膜晶体管探测器，其特征在于，所述基板为玻璃基板。