[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效
| 申请号: | 201110339469.4 | 申请日: | 2011-11-01 |
| 公开(公告)号: | CN102385207A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
| 发明(设计)人: | 張驄瀧 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板,包括多条相互平行的扫描线、多条与该扫描线垂直绝缘相交的数据线、任意两条相邻的扫描线与任意两条相邻的数据线界定的像素单元以及任意两条相邻的扫描线之间的电容线,其特征在于,
在电容线上具有沿所述电容线的延伸方向的长形通孔,所述长形通孔位于所述电容线与数据线的交叉处,在对应所述长形通孔的两侧孔壁处的电容线的两侧边具有对称分布的沿所述数据线的延伸方向延伸出的辅助电容线。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,在对应所述长形通孔的两侧孔壁处的电容线的两侧边分别具有两条辅助电容线,且位于同侧边上的两条辅助电容线沿所述数据线的延伸方向对称分布。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述长形通孔沿所述数据线对称,且所述长形通孔的长度大于位于同侧边上的沿所述数据线对称分布的两条辅助电容线之间的距离。
4.如权利要求1至3中任一项所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述长形通孔为长度方向沿所述电容线延伸方向的矩形通孔。
5.如权利要求4项所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述长形通孔位于所述数据线一侧的面积s为1≤s≤16,单位为平方微米。
6.一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法,其特征在于,所述方法包括:
形成一薄膜晶体管阵列基板,其中,所述薄膜晶体管阵列基板包括多条相互平行的扫描线、多条与该扫描线垂直绝缘相交的数据线、任意两条相邻的扫描线与任意两条相邻的数据线界定的像素单元以及任意两条相邻的扫描线之间的电容线;
其特征在于,所述方法还包括:
在电容线上形成沿所述电容线的延伸方向的长形通孔,其中,所述长形通孔位于所述电容线与数据线的交叉处,对应所述长形通孔的两侧孔壁处的电容线的两侧边具有对称分布的沿所述数据线的延伸方向延伸出的辅助电容线,以便在所述长形通孔的两侧孔壁和对应该两侧孔壁处的电容线的两侧边之间形成连接所述电容线与所述辅助电容线的切割部;
检测所述辅助电容线与所述数据线之间是否产生短路;
当检测到产生短路时,剪切所述切割部,使短路的辅助电容线与电容线之间断路。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,对应所述长形通孔的两侧孔壁处的电容线的两侧边分别具有两条辅助电容线,且位于同侧边上的两条辅助电容线沿所述数据线的延伸方向对称分布。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述长形通孔沿所述数据线对称,且所述长形通孔的长度大于位于同侧边上的沿所述数据线对称分布的两条辅助电容线之间的距离。
9.如权利要求6至8任一项所述的方法,其特征在于,所述长形通孔为长度方向沿所述电容线延伸方向的矩形通孔。
10.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述剪切所述切割部包括用激光切割所述切割部。
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