[发明专利]硅通孔测试结构及测试方法

权利要求书

1.一种硅通孔测试结构，其特征在于，包括：

硅衬底，贯穿所述硅衬底的硅通孔；

围绕着所述硅通孔排列的若干MOS晶体管，所述MOS晶体管围绕所述硅通孔的圆心围成若干个同心圆环。

2.如权利要求1所述的硅通孔测试结构，其特征在于，所述MOS晶体管包括NMOS晶体管和PMOS晶体管。

3.如权利要求2所述的硅通孔测试结构，其特征在于，所述NMOS晶体管和PMOS晶体管的数量至少各为2个。

4.如权利要求2所述的硅通孔测试结构，其特征在于，位于同一圆环上的所述NMOS晶体管和PMOS晶体管是间隔排列。

5.如权利要求2所述的硅通孔测试结构，其特征在于，位于同一圆环上的所述NMOS晶体管和PMOS晶体管是与硅通孔的圆心呈等角度排列。

6.如权利要求2所述的硅通孔测试结构，其特征在于，所述NMOS晶体管和PMOS晶体管围绕所述硅通孔的圆心呈放射状排列。

7.如权利要求6所述的硅通孔测试结构，其特征在于，位于同一射线上的NMOS晶体管和PMOS晶体管间隔排列。

8.如权利要求1所述的硅通孔测试结构，其特征在于，所述同心圆环之间的间距相等。

9.如权利要求1所述的硅通孔测试结构，其特征在于，所述MOS晶体管的栅极长度方向平行或垂直于所述硅通孔的圆心发出的且穿过所述MOS晶体管中心位置的射线。

10.一种利用权利要求1所述的硅通孔测试结构的测试方法，其特征在于，包括：

提供硅通孔测试结构，测试所述硅通孔测试结构中的MOS晶体管的第一电学参数；

提供周围未形成有硅通孔的MOS晶体管，测试所述周围未形成有硅通孔的MOS晶体管的第二电学参数；

将所述第一电学参数与第二电学参数进行比较，获得所述硅通孔隔离区的半径。

11.如权利要求10所述的测试方法，其特征在于，依次将不同圆环上的MOS晶体管对应的第一电学参数与第二电学参数进行比较，当检测到若干个所述第一电学参数和第二电学参数相同时，在对应的MOS晶体管所在的圆环的半径值中选取最小值，所述最小值即为所述硅通孔隔离区的半径。

12.如权利要求10所述的测试方法，其特征在于，所述第一电学参数、第二电学参数的类型包括：阈值电压、饱和漏极电流、截止漏极电流、导通电阻、栅极电流、跨导、源漏电导、电压放大系数其中一种或几种。

13.如权利要求10所述的测试方法，其特征在于，所述周围未形成有硅通孔的MOS晶体管摆放位置、摆放间距与硅通孔测试结构中的MOS晶体管的摆放位置、摆放间距相同。

14.如权利要求10所述的测试方法，其特征在于，所述周围未形成有硅通孔的MOS晶体管的形成工艺和器件尺寸与硅通孔测试结构中的MOS晶体管的形成工艺和器件尺寸相同。

15.一种利用权利要求1所述的硅通孔测试结构的测试方法，其特征在于，包括：

提供硅通孔测试结构，利用所述硅通孔测试结构中的位于某一圆环上的MOS晶体管连接成第一环形振荡器；

提供第二环形振荡器；

测量所述第一环形振荡器和第二环形振荡器的振荡周期并进行比较，获得所述硅通孔隔离区的半径。

16.如权利要求15所述的测试方法，其特征在于，依次测试不同圆环对应的第一环形振荡器的第一振荡周期，并与所述第二环形振荡器的第二振荡周期进行比较，当检测到若干个所述第一环形振荡器的第一振荡周期和第二环形振荡器的第二振荡周期相同时，在对应的圆环的半径值中选取最小值，所述最小值即为所述硅通孔隔离区的半径。

17.如权利要求15所述的测试方法，其特征在于，所述第二环形振荡器由周围未形成有硅通孔的MOS晶体管连接而成。

18.如权利要求17所述的测试方法，其特征在于，所述第二环形振荡器中的MOS晶体管的摆放位置、摆放间距与第一环形振荡器中的MOS晶体管的摆放位置、摆放间距相同。