[发明专利]修饰电极及其制备方法无效
| 申请号: | 201110338065.3 | 申请日: | 2011-10-31 |
| 公开(公告)号: | CN102393412A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
| 发明(设计)人: | 卢小泉;刘冬;李亚亚;王海峰;姬东琴 | 申请(专利权)人: | 西北师范大学 |
| 主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30 |
| 代理公司: | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人: | 陆菊华 |
| 地址: | 730070 甘肃*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 修饰 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种修饰电极,所述修饰电极包括基底电极,其特征在于:所述修饰电极还包括涂覆于所述基底电极表面的金纳米粒子膜;涂覆于所述金纳米粒子膜表面的Ru(bpy)32+;以及涂覆于所述Ru(bpy)32+表面的Nafion。
2.根据权利要求1所述的修饰电极,其特征在于:所述基底电极为铂电极。
3.一种权利要求1或2所述的修饰电极的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
1)、对基底电极进行预处理;
2)、将金纳米粒子涂覆到步骤1)所述的预处理后的基底电极表面,形成表面覆盖有金纳米粒子膜的金纳米粒子修饰铂电极;
3)、将Ru(bpy)32+涂覆到步骤2)得到的电极表面,形成Ru(bpy)32+-金纳米粒子修饰铂电极;
4)、将Nafion涂覆到步骤3)得到的Ru(bpy)32+-金纳米粒子修饰铂电极表面,得到本发明的修饰电极。
4.根据权利要求3所述的修饰电极的制备方法,其特征在于:步骤2)中金纳米粒子修饰铂电极的制备方法为:将经过预处理后的基底电极置于含有HAuCl4和NH4Cl的电解质溶液中,并在以经过预处理后的基底电极为工作电极的三电极体系中进行恒电位扫描,其中,电压为-0.2V,扫描时间为10s,制得金纳米粒子修饰铂电极。
5.根据权利要求3所述的修饰电极的制备方法,其特征在于:步骤3)中Ru(bpy)32+-金纳米粒子修饰铂电极的制备方法为:将步骤2)制得的金纳米粒子修饰铂电极置于含有Ru(bpy)32+的酸性磷酸盐缓冲液中,并在以金纳米粒子修饰铂电极为工作电极的三电极体系中进行循环伏安扫描,扫描电压为0.2-1.4V,扫描速度为100mV/s。
6.根据权利要求5所述的修饰电极的制备方法,其特征在于:所述扫描圈数为23圈。
7.根据权利要求5所述的修饰电极的制备方法,其特征在于:所述磷酸盐缓冲液的pH值为4.0。
8.根据权利要求3所述的修饰电极的制备方法,其特征在于:步骤4)中所述的涂覆方法为:将Nafion滴到步骤3)制备的Ru(bpy)32+-金纳米粒子修饰铂电极表面,在室温下自然晾干。
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