[发明专利]电磁屏蔽方法及制品

权利要求书

1.一种制品，包括基体，其特征在于：该制品还包括依次形成于该基体上的一绝缘层、导电层及防护层，该绝缘层为含氟二氧化硅层、二氧化硅层或氟氧化硅层，该导电层包括依次形成于所述绝缘层上的铬层及铜层，所述防护层为铬层、不锈钢层或镍铬合金层。

2.如权利要求1所述的制品，其特征在于：该绝缘层通过化学气相沉积的方式形成。

3.如权利要求1所述的制品，其特征在于：该绝缘层的厚度为2~6μm。

4.如权利要求1所述的制品，其特征在于：所述铬层的厚度为100~200nm。

5.如权利要求1所述的制品，其特征在于：所述铜层的厚度为300~500nm。

6.如权利要求1所述的制品，其特征在于：所述防护层的厚度为200~300nm。

7.如权利要求1所述的制品，其特征在于：该基体为印刷电路板或柔性线路板。

8.如权利要求7所述的制品，其特征在于：该基体上形成有至少一电子元件，所述绝缘层及所述导电层沉积在所述电子元件的表面及基体的表面，以使电子元件被封闭于所述绝缘层内。

9.一种电磁屏蔽方法，其包括如下步骤：

提供基体；

采用化学气相沉积法，在反应温度为20~50℃下，于基体上形成一绝缘层，该绝缘层为含氟二氧化硅层、二氧化硅层或氟氧化硅层；

采用真空镀膜法，在室温下，以铬靶为靶材，于该绝缘层上形成一铬层；

采用真空镀膜法，在室温下，以铜靶为靶材，于该铬层上形成一铜层；

采用真空镀膜法，在室温下，以铬靶、不锈钢靶及镍铬合金靶中的任意一种为靶材，于该铜层上形成一防护层，所述防护层为铬层、不锈钢层或镍铬合金层。

10.如权利要求9所述的电磁屏蔽方法，其特征在于：当所述绝缘层为含氟二氧化硅层时，形成所述绝缘层的方法为：提供一减压化学气相沉积装置，该减压化学气相沉积装置包括一沉积室及鼓泡器，将基体置于所述沉积室内，以氟铬三乙氧基硅烷和纯水为反应物，所述反应物通过所述鼓泡器气化后进入所述沉积室；设置反应室的压力为600~800Pa；以氮气为工作气体，氮气的流量为50~80sscm，沉积室的温度为20~50℃，沉积时间80~120min；其中，氟铬三乙氧基硅烷与纯水的质量比为3:1~2:1。

11.如权利要求9所述的电磁屏蔽方法，其特征在于：形成铬层的方法为：采用磁控溅射法，以氩气为反应气体，设置氩气的流量为100sccm~180sscm，施加于基体的偏压为-20~-50V，设置铬靶材的功率为5~10kW；镀膜时间为5~10min。

12.如权利要求9所述的电磁屏蔽方法，其特征在于：形成铜层的方法为：采用磁控溅射法，以氩气为反应气体，设置氩气的流量为100sccm~180sscm，施加于基体的偏压为-20~-50V，设置铜靶材的功率为5~10kW；镀膜时间为10~15min。

13.如权利要求9所述的电磁屏蔽方法，其特征在于：形成防护层的方法为：采用磁控溅射法，以氩气为反应气体，设置氩气的流量为100sccm~180sscm，施加于基体的偏压为-20~-50V，设置铬靶、不锈钢靶及镍铬合金靶材的功率为5~10kW；镀膜时间为10~15min。