[发明专利]一种用于太阳能电池的钝化介质膜无效
| 申请号: | 201110337119.4 | 申请日: | 2011-10-31 |
| 公开(公告)号: | CN102403369A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
| 发明(设计)人: | 周艳方;尹海鹏;张俊兵;刘淑华;单伟 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司;合肥晶澳太阳能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
| 代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波 |
| 地址: | 225131 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 太阳能电池 钝化 介质 | ||
1.一种用于太阳能电池的钝化介质膜,其特征是:所述钝化介质膜是由第一介质膜组成的单层结构,或所述钝化介质膜是由第一介质膜和第二介质膜组成的迭层结构,其中第一介质膜与硅基体材料直接相接触,第二介质膜沉积在第一钝化膜上。
2.根据权利要求1所述的用于太阳能电池的钝化介质膜,其特征是:所述第一介质膜为具有固定负电荷的金属氧化物。
3.根据权利要求2所述的用于太阳能电池的钝化介质膜,其特征是:所述金属氧化物为氧化铝。
4.根据权利要求1或2或3所述的用于太阳能电池的钝化膜,其特征是:所述第一介质膜的厚度为3-200nm。
5.根据权利要求1所述的用于太阳能电池的钝化介质膜,其特征是:所述第二介质膜为氮化硅、碳化硅、氧化硅或氧化钛单层膜,或所述第二介质膜为氮化硅、碳化硅、氧化硅和氧化钛中的两种或两种以上组成的复合膜。
6.根据权利要求5所述的用于太阳能电池的钝化介质膜,其特征是:所述第二钝化膜的厚度为3-200 nm,,折射率为0.8-3.0。
7.根据权利要求1任一项所述的用于太阳能电池的钝化介质膜,其特征是:所述第一介质膜和第二介质膜包括采用原子层沉积ALD、化学气相沉积CVD、等离子化学气相沉积PECVD、金属有机物化学气相沉积MOCVD或分子束外延生长MBE方法制备获得,其中制备第一钝化膜时所采用的反应气体至少包含一种含铝化合物,所述含铝化合物包括Al(CH3)3、AlCl3、Al(CH3)2Cl或(CH3)2C2H5N:AlH3。
8.根据权利要求1所述的用于太阳能电池的钝化介质膜,其特征是:所述钝化介质膜设置于太阳能电池的受光面或设置于太阳能电池的背光面。
9.根据权利要求1所述的用于太阳能电池的钝化介质膜,其特征是:所述硅基体材料的表面形貌为抛光面或绒面结构,其中抛光面结构采用化学溶液腐蚀形成,所述的化学溶液为KOH或NaOH水溶液,其质量百分含量为10~40%,温度为50~90℃;或所述的化学溶液为四甲基氢氧化铵或乙二胺水溶液,其质量百分含量为10~30%,温度为50~90℃;其中所述绒面结构采用化学溶液腐蚀制备获得,所述化学溶液为NaOH水溶液,其质量百分含量为0.5~5%,在75~90℃的温度下通过表面织构化形成。
10.根据权利要求9所述的用于太阳能电池的钝化介质膜,其特征是:在表面形貌为抛光面或绒面结构的硅基体材料上沉积第一介质膜之前,对硅基体材料表面进行清洗,清洗采用氢氟酸、硝酸、盐酸或硫酸以及含有添加剂的氢氟酸、硝酸、盐酸或硫酸,清洗时间为0.5-60分钟,温度为5~90℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶澳(扬州)太阳能科技有限公司;合肥晶澳太阳能科技有限公司,未经晶澳(扬州)太阳能科技有限公司;合肥晶澳太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110337119.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:参蜂聚胶囊及其制备方法
- 下一篇:具有利用粘接方式安装上的喇叭接触件的方向盘
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





