[发明专利]去合金法制备多孔氮化铝或氮化镓薄片或薄带的方法

权利要求书

1.一种去合金法制备多孔氮化铝或氮化镓薄片或薄带的方法，其特征在于，包括以下操作步骤：

步骤1，原料称取：

原料由A组份和B组份组成；A组份占整个原料的重量百分比为10～90％wt，其余为B组分；

A组份为纯度不小于99％wt的Al锭或镓液；

B组份为纯度不小于99％wtMg块、纯度不小于98％wtLi块或纯度不小于98％wt的Ca块中的一种，或任意两种或三种以任意比例组成的混合物；

步骤2，合金的熔炼和配制：

按照所需得到的合金中各金属的含量要求配制步骤1称取的B组分各金属的含量，然后将A组分与B组分放入坩埚，然后连同坩埚一起放入加热炉中，熔炼成相应的合金；

步骤3，合金薄带或薄片的制备：

把步骤2熔炼获得的合金熔体在甩带机或热轧机上制成合金薄带或薄片；

步骤4，合金薄带或薄片的氮化：

把步骤4制成的合金薄带或薄片放入反应炉中，对反应炉抽真空，然后对反应炉充入氮气，当反应炉内的氮气压力达到一定压力以后，维持炉内的氮气压力不变，然后利用加热炉加热合金薄带或薄片到600～950℃保温氮化；

步骤5，去合金化

把氮化结束的合金薄带或薄片，用酸浸泡，去除合金中B组分的氮化物，留下A组分的氮化物，在薄带或薄片的B组分氮化物位置留下孔洞，从而获得了多孔A组分的氮化物结构，抽滤后即得到多孔的AlN或多孔的GaN薄带或薄片；

步骤6，干燥：

把步骤5制得的多孔AlN或多孔GaN薄带或薄片在干燥箱中于80～200℃干燥1～4小时即完成。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3中薄带或薄片的厚度不大于0.1mm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4中反应炉内真空度不大于0.1atm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4中反应炉内的氮气压强要求不小于0.7atm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4的加热升温过程中炉内温度由室温到合金薄带或薄片的熔点以下30℃的过程中，升温速度不小于500℃/h；炉内温度由合金薄带或薄片的熔点以下30℃至熔点之间的过程中，升温时长不小于4h；炉内温度由合金薄带或薄片的熔点至保温氮化温度过程中，升温速度不小于100℃/h。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5中的酸为摩尔浓度为0.1mol/L～1mol/L的稀盐酸或稀硫酸。