[发明专利]太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法无效
申请号: | 201110336278.2 | 申请日: | 2011-10-31 |
公开(公告)号: | CN102412340A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 王伟兵;陈敏智;赵东 | 申请(专利权)人: | 浙江宝利特新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B08B3/10 |
代理公司: | 台州市方圆专利事务所 33107 | 代理人: | 张智平;蔡正保 |
地址: | 317521 浙江省台*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 异常 导致 彩虹 处理 方法 | ||
技术领域
本发明属于电学技术领域,涉及一种太阳能电池,特别是一种太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法。
背景技术
随着人们环保意识的日益提高,国际、国内对于可再生能源,特别是对太阳能的开发利用越来越受到人们的广泛关注。光伏发电的成本在过去的30年里下降了2个数量级,特别是在1990年代后半期起进入了快速发展的阶段,而在过去的5年时间里光伏产业更保持了每年40%~50%的增长,成为一个快速发展的高技术新兴行业。虽然发展速度如此之快,但是目前太阳能发电在整个社会能源结构中的比例还是比较小,不到1%。因此,太阳能电池的发展潜力极其巨大,市场前景广阔。
目前在工业生产和市场上处于主导地位的太阳能电池是基于晶体硅(单晶硅和多晶硅)的第一代太阳能电池,其光电转换效率高(可分别达到24.7%和20.3%),技术也比较成熟,产量占了整个太阳能电池90%左右。但是由于该类产品需要消耗大量昂贵的高纯晶体硅原料,原料成本占了总成本60%~80%,导致价格居高不下,已成为光伏产业发展及太阳能电池推广应用的主要障碍。
为了节省原材料,有效降低太阳能电池的成本,基于薄膜技术的第二代太阳能电池逐渐展示出巨大优势和发展潜力,成为近些年来太阳能电池领域的研究热点。目前的第二代太阳能电池都是制作在P型衬底的硅片上,而为了增加对入射太阳光的吸收,提高太阳能电池的光电转换频率,都必须在电池的N层表面生长一层合适厚度的减反射膜,以增加对入射阳光的吸收,对利用该 种技术制作的太阳能电池,其光电转换效率都在16%以上。而目前行业内的产业化生产工艺都是采用PECVD等离子体化学气相淀积的方式,将硅片置放于等离子体场中,从而在硅片表面直接淀积一层薄膜,这是一种常规的成熟的减反膜生长工艺。
但是在太阳能电池生长减反膜工艺过程中,由于种种原因经常会出现长膜异常的彩虹片,处理起来非常麻烦。常规的处理方法是常温下用HF浸泡,处理时间短则4~6小时,长则2~3天,甚至好几天都清洗不干净,严重的反而还会使盛放彩虹片的花篮遭受腐蚀,最终处理不好的片子只能报废,从而使得生产成本增加。
发明内容
本发明的目的是针对现有的技术存在上述问题,提出了一种操作工作简单、成本低廉、环境优好、性能稳定、清洗时间短、清洗效果好、而且成品率高的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法。
本发明的目的可通过下列技术方案来实现:一种太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法,其工艺步骤为:a、调配浸泡用的清洗液;b、对清洗液进行加热;c、将需要返工的彩虹片浸泡在清洗液中;d、冲洗:将浸泡后的彩虹片取出放在去离子水中冲洗;e、甩干;f、对甩干后的成品电池片重新进行PECVD工艺长膜。
在上述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法中,所述的清洗液包含HF。
在上述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法中,所述的清洗液由H2O∶HF按照9∶1~11∶1的体积比调配而成。
在上述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法中,所述的清洗液的温度加热至60~80℃。
在上述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法中, 所述的彩虹片浸泡在清洗液中的时间为10~20分钟。
在上述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法中,所述的浸泡后的彩虹片在去离子水中冲洗20~35分钟。
在上述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法中,所述的去离子水为电阻率在15MΩ以上的高纯水。
在上述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法中,所述的甩干工艺为通过太阳能电池片甩干机进行的机械式甩干。
在上述的太阳能电池长膜异常导致的彩虹片的处理方法中,所述的机械式甩干的转速在450~50R/min,时间在200~300秒。
与现有技术相比,本发明具有以下的优点:1、用时短,由于将以往常温状态的HF溶液进行加热处理,使得反应速度加快,整个清洗过程在30分钟之内即可完成;2、操作过程简单方便,整个工艺流程仅需要注意HF溶液的反应温度,以及彩虹片在溶液中浸泡的去膜情况,其他工艺时间根据长膜情况做略微的适当调整即可;3、清洗效果好,加热后的HF溶液能够有效地减小反应势垒,即更容易地打开异常膜内化合物的化学键,使清洗反应更加的快速和完全;4、成本低廉,反应时间短,节约工时及人工成本,同时能有效地对长膜异常的电池片进行重新利用,避免浪费。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江宝利特新能源股份有限公司,未经浙江宝利特新能源股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110336278.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种数字预失真方法及装置
- 下一篇:一种用于金属设备柜抗蚀的系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的