[发明专利]一种荧光材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110336034.4 申请日: 2011-10-31
公开(公告)号: CN102391867A 公开(公告)日: 2012-03-28
发明(设计)人: 黄富强;殷鑫 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C09K11/78 分类号: C09K11/78
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲;郑优丽
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 荧光 材料 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及可用于将白光LED、普通白炽灯等发射出的紫外光或者蓝光转变为可见光,例如红光的光电转换材料,属于荧光材料领域。

背景技术

固体白光照明(Solid State Lighting, SSL)是指利用半导体发光二级管(Light Emitting Diode, LED)或者半导体发光二级管与荧光粉的结合产生白光,实现作为普通照明光源的技术。与真空管白炽灯、充汞荧光灯不同,它是一种全新的照明技术,具有发热量低、能耗小、寿命长、体积小、反应速度快、无环境污染等一系列优点,且由于其白光最接近日光,能更好的反映被照射物体的真实颜色,其市场应用前景极其广阔,被誉为“21世纪的绿色光源”。为控制全球温室气体排放,节约地球有限的能源资源,近年来世界各国纷纷制定了LED照明的发展计划。

LED发光主要分为两种,一种是利用红绿蓝三基色的发光芯片发出的光混合直接得到白光;另一种是通过半导体发光二级管与荧光粉结合产生白光。目前,通过半导体发光二极管与荧光粉结合产生白光大致分为两种:一种是把蓝光芯片加上黄色荧光粉产生白光,另一种是通过紫外光芯片加上红绿蓝三色荧光粉,来产生白光。目前市场上主流的商业化的白光LED是通过发射460nm的蓝光InGaN芯片与发射黄光的YAG:Ce荧光材料相结合发射白光。该方法工艺简单,成本较低。但该专利被日本Nichia公司垄断,对于其他制造公司形成一定的技术壁垒。且该类荧光粉材料存在着显色性差,色温偏高,缺少红色成分的缺点,有待于进一步改善。用紫外LED芯片结合红绿蓝三色荧光粉是另一种较理想的发光方式,具有良好的显色性。但该方法也存在荧光粉转换效率低的问题。因此,合成具有良好发光特性、化学稳定性、低成本的新型LED用荧光材料对实现高亮度的白光LED至关重要。

目前所用的荧光材料中,主要包括有稀土石榴石结构的荧光材料、硫化物荧光材料、硅酸盐类荧光材料等。例如上述可发射黄光的YAG:Ce荧光材料即为稀土石榴石结构,其存在的缺陷上述已经提及。

硫化物荧光材料,如美国专利USPA 6351069公开的红色硫化物荧光材料,该类荧光材料其发光亮度低,虽然可提高显色指数,但会降低LED的流明效率;其该类荧光材料极易吸湿潮解,稳定性差及耐老化性差,且会对LED芯片造成腐蚀影响使用寿命,不能满足LED的使用要求;硅酸盐类荧光材料,如专利USPA20060027781、USPA20060027785中所涉及的硅酸盐荧光材料,其激发光谱在280~490nm,发射光谱在460~590nm之间,发光只有绿色到黄色范围,缺乏红色部分,且其发光强度较差,还无法与YAG荧光材料相比。

上述的荧光材料,其目前主要是通过在选定的基质材料中掺杂稀土离子(例如Eu3+离子,Pr3+离子)或者过渡金属离子(例如Mn2+离子,Mn4+离子)等激活离子来产生发光性能,例如中国专利CN200710146761.8、CN200510026617.1、CN200610082355.5等。这种情况下,当掺杂浓度为2-3%时发光强度既达到最大值,当掺杂浓度继续增加,发光强度将由于浓度淬灭效应随之减弱。同时通过掺杂离子发光还会伴随晶格失配、电荷不平衡引起的结构不稳定等一系列问题。综上所述,开发本征发光的荧光材料可以避免上述罗列的诸多问题,成为研究的重点和热点。

发明内容

钨青铜型结构复合氧化物(化学式为:(A1)4(A2)2B10O30和(A1)(A2)2(A3)4B10O30)常有四方晶系和斜方晶系良种,目前已被证明具有良好的组成和结构和功能特征,尤其具有特殊的电性能,是重要的电子陶瓷材料。例如CN200780019518.8公开了钨青铜结构陶瓷材料作为热障涂层的应用。

本发明人意识到含有常作为发光离子和激发离子(例如Eu和Na离子等)的钨青铜型结构复合氧化物可能具有本征发光的性能,以克服通过掺杂激发离子带来的浓度淬灭、晶格适配,电荷失衡等缺点。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110336034.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top