[发明专利]具有降低的寄生回路电感的集成电路封装

权利要求书

1.一种集成电路封装，包括：

开关模式电源电路，包括耦合在一起的多个晶体管和电容器以形成具有寄生回路电感的主电流回路；以及

导电板，通过集成电路封装的一个或多个绝缘体层而与多个晶体管和电容器间隔开，所述导电板在集成电路封装内位于主电流回路的至少一部分之上，所述导电板配置成降低主电流回路的寄生回路电感而不承载主电流回路中流动的电流。

2.权利要求1的集成电路封装，其中导电板配置成响应于在导电板中由基于主电流回路中流动的电流变化而产生的磁场感应出的电流来产生磁场。

3.权利要求1的集成电路封装，其中开关模式电源电路为包括高侧MOSFET和低侧MOSFET的功率变换器电路，并且其中导电板位于高侧MOSFET的至少一部分和低侧MOSFET的至少一部分之上。

4.权利要求3的集成电路封装，其中高侧MOSFET和低侧MOSFET包括在不同的半导体管芯中。

5.权利要求1的集成电路封装，其中导电板在一点处连接到参考电位。

6.权利要求5的集成电路封装，其中参考电位是地并且电容器的一个板耦合到地参考电位。

7.一种操作集成电路的方法，包括：

提供带有开关模式电源电路以及导电板的集成电路封装，该开关模式电源电路包括耦合在一起的多个晶体管和电容器以形成具有寄生回路电感的主电流回路，并且该导电板通过一个或多个绝缘体层而与多个晶体管和电容器间隔开且位于主电流回路的至少一部分之上；以及

通过在集成电路封装的导电板中电磁感应出电流来降低主电流回路的寄生回路电感，而导电板不承载主电流回路中流动的电流。

8.权利要求7的方法，包括：

改变主电流回路中的电流；

响应于响应于主电流回路中的电流变化而产生的第一磁场，在导电板中感应出电流；以及

响应于导电板中感应出的电流而产生第二磁场，该第二磁场至少部分取消第一磁场。

9.权利要求7的方法，包括将导电板的一点连接到参考电位。

10.权利要求9的方法，包括：

将导电板的一点连接到地电位；以及

连接电容器的一个板到地电位。

11.一种多层集成电路封装，包括：

包括多个晶体管的开关模式电源电路，所述多个晶体管形成开关模式电源电路的主电流回路的一部分，所述多个晶体管布置在集成电路封装的一层或多层中；以及

导电板，布置在集成电路封装的与多个晶体管不同的层中足够紧密靠近主电流回路的至少一部分，使得能够响应于主电流回路中的电流变化而在导电板中电磁感应出电流。

12.权利要求11的多层集成电路封装，其中开关模式电源电路包括第一MOSFET和第二MOSFET，导电板位于第一和第二MOSFET之上，并且至少一个绝缘体层插入在导电板与第一和第二MOSFET之间。

13.权利要求12的多层集成电路封装，其中导电板位于第一MOSFET的至少一部分以及第二MOSFET的至少一部分之上。

14.权利要求12的多层集成电路封装，其中第一MOSFET是功率变换器电路的高侧MOSFET，而第二MOSFET是功率变换器电路的低侧MOSFET。

15.权利要求14的多层集成电路封装，其中多层集成电路封装进一步包括：

耦合到低侧MOSFET的栅电极的第一栅极端子；

耦合到高侧MOSFET的栅电极的第二栅极端子；

耦合到低侧MOSFET的漏电极和高侧MOSFET的源电极的输出端子；

耦合到高侧MOSFET的漏电极的输入端子；以及

耦合到低侧MOSFET的源电极的地平面，所述地平面插入在多层集成电路封装的不同层中的导电板和MOSFET之间。

16.权利要求11的多层集成电路封装，其中导电板是单个连续导电板。