[发明专利]一种超材料介质基板及其加工方法有效

专利信息
申请号: 201110335526.1 申请日: 2011-10-31
公开(公告)号: CN103094694A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 刘若鹏;赵治亚;缪锡根;安娜·玛丽亚·劳拉·博卡内格拉;黄新政;林云燕 申请(专利权)人: 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司
主分类号: H01Q15/00 分类号: H01Q15/00;C04B35/581;C04B38/00;C04B35/622
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518057 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 材料 介质 及其 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种超材料介质基板的加工方法,其特征在于,包括以下步骤,

101.制备致密氮化铝陶瓷原材,将氮化铝粉体、溶剂、除泡剂、分散剂和增塑剂混合,调制成液态泥膏状的流延浆料,利用流延成型工艺制成氮化铝生瓷带,并将生瓷带放入惰性气氛中高温烧结,得到致密氮化铝陶瓷原材;

102.制备多孔氮化铝陶瓷原材,将氮化铝粉体、中空陶瓷微球、溶剂、除泡剂、分散剂和增塑剂混合,调制成液态泥膏状的流延浆料,利用流延成型工艺制成氮化铝生瓷带,并将生瓷带放入惰性气氛中高温烧结,得到多孔氮化铝陶瓷原材;

103.将上述两种陶瓷原材烧结成超材料的介质基板。

2.根据权利要求1所述的超材料介质基板的加工方法,其特征在于,所述步骤101和步骤102中,所述氮化铝粉体的纯度≥99%。

3.根据权利要求1所述的超材料介质基板的加工方法,其特征在于,所述步骤101中,所述烧结的温度控制在1600-1700℃,烧结的时间控制在4-8h。

4.根据权利要求1所述的超材料介质基板的加工方法,其特征在于,所述步骤102中,所述中空陶瓷微球的粒径控制在1μm-5mm。

5.根据权利要求1所述的超材料介质基板的加工方法,其特征在于,所述步骤102中,所述加入中空陶瓷微球烧结的温度控制在500-1000℃,烧结的时间控制在0.5-5h。

6.根据权利要求1所述的超材料介质基板的加工方法,其特征在于,所述步骤102中,所述烧结的温度控制在1600-1800℃,所述烧结的时间控制在4-8h。

7.根据权利要求1所述的超材料介质基板的加工方法,其特征在于,所述步骤101和步骤102中,所述溶剂为乙醇、甲乙酮、三氯乙烯、甲苯、二甲苯和正丁醇中的一种或几种。

8.根据权利要求1所述的超材料介质基板的加工方法,其特征在于,所述步骤101和步骤102中,所述分散剂为磷酸酯、乙氧基化合物、三油酸甘油酯和鲱鱼油中的一种或几种。

9.根据权利要求1所述的超材料介质基板的加工方法,其特征在于,所述步骤101和步骤102中,所述增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯、聚乙二醇、邻苯二甲酸二辛酯、丁·苄苯二甲酸酯和乙基草酸酯。

10.一种超材料介质基板,其特征在于,所述介质基板由致密氮化铝陶瓷原材和多孔氮化铝陶瓷原材烧结而成。

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