[发明专利]一种半导体器件制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底上依次沉积介电层、介电保护层和金属硬掩膜层；

在所述金属硬掩膜层上形成第一图案化光刻胶层；

以所述第一图案化光刻胶层为掩膜，干法刻蚀所述金属硬掩膜层以及部分厚度的介电保护层，形成初始金属导线槽；

去除所述第一图案化光刻胶层；

在所述金属硬掩膜层上形成第二图案化光刻胶层；

以所述第二图案化光刻胶层为掩膜，干法刻蚀所述金属硬掩膜层以及部分厚度的介电保护层，形成初始冗余金属槽，所述初始冗余金属槽的深度小于所述初始金属导线槽的深度；

去除所述第二图案化光刻胶层；

在所述金属硬掩膜层上形成第三图案化光刻胶层；

以所述第三图案化光刻胶层为掩膜，干法刻蚀所述初始金属导线槽下方的介电保护层和部分厚度的介电层，形成初始通孔；

去除所述第三图案化光刻胶层；

干法刻蚀所述介电保护层和介电层，形成金属导线槽、冗余金属槽和通孔，所述通孔与所述金属导线槽连通且暴露出所述半导体衬底的表面；

在金属硬掩膜层上以及金属导线槽、冗余金属槽和通孔内形成铜金属层；

执行化学机械研磨工艺，直至暴露出所述介电层的表面，以在所述金属导线槽和通孔内形成金属导线，并在所述冗余金属槽内形成冗余金属线。

2.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述金属硬掩膜层的材质为钛、氮化钛、氧化钛、钽、氮化钽、氧化钽中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述金属硬掩膜层的厚度为1纳米～1000纳米。

4.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，先形成初始金属导线槽，然后再形成初始冗余金属槽。

5.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，先形成初始冗余金属槽，然后再形成初始金属导线槽。

6.如权利要求1至5中任意一项所述的半导体器件制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底上沉积介电层之前，在所述半导体衬底上沉积刻蚀阻挡层。