[发明专利]太阳能电池的制造方法无效
| 申请号： | 201110335105.9 | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102403402A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 邱铭晖;杨士贤;胡雁程;陈钰君;陈宗保;王冠程;陈人杰;吴振诚 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：
提供一第一型基底，其具有一第一表面与一第二表面；
使用一第一掺质对该第一型基底的该第一表面进行一第一掺杂工艺，以形成一第一型淡掺杂层；
使用一第二掺质对部分该第一型淡掺杂层进行一第二掺杂工艺，以形成一第二型重掺杂区，其中该第二掺质的原子量大于该第一掺质的原子量，该第一掺杂工艺的温度高于该第二掺杂工艺的温度；
于该第二型重掺杂区上形成一第一电极；以及
于该第一型基底的该第二表面上形成一第二电极。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第一型为p型，以及该第二型为n型。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第一掺质包括P。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第二掺质包括As与Sb。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第一掺质包括As。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第二掺质包括Sb。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第一型为n型，以及该第二型为p型。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第一掺杂工艺的温度介于800℃与1000℃之间。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第二掺杂工艺的温度介于700℃与900℃之间。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第一掺杂工艺的温度介于800℃与1000℃之间。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第二掺杂工艺的温度介于700℃与900之间。
12.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第二型重掺杂区的形成方法包括：
于该第一型淡掺杂层上形成一掩膜层，该掩膜层具有暴露出该部分第一型淡掺杂层的一开口；以及
以该掩膜层为掩膜，经由该开口对该部分第一型淡掺杂层进行该第二掺杂工艺。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该掩膜层包括一抗反射层。
14.根据权利要求12所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，更包括移除该掩膜层。
15.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第一电极的材料包括银或钛钯银。
16.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第二电极的材料包括铝。
17.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第二型重掺杂区的厚度为0.1微米至0.15微米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
