[发明专利]发光二极管阵列

权利要求书

1.一种发光二极管阵列，其特征在于，包含有多个发光二极管单元，所有该多个发光二极管单元形成一串联序列，该发光二极管阵列有n列及m行，且m及n至少一者为奇数。

2.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于，每一个发光二极管单元为四边形，且具有电性相反的一第一电极与一第二电极，该第一电极位于或邻近该四边形的一第一端点，该第二电极位于或邻近该四边形的一第二端点，该第一端点与该第二端点为对角关系。

3.根据权利要求2所述的发光二极管阵列，其特征在于，每一个发光二极管单元为正方形，且具有电性相反的一第一电极与一第二电极，该第一电极位于或邻近该正方形的一第一端点，该第二电极位于或邻近该近似正方形的一第二端点，该第一端点与该第二端点为对角关系。

4.根据权利要求2所述的发光二极管阵列，其特征在于，该发光二极管阵列为四边形，且连接一电流输入端与一电流输出端。

5.根据权利要求4所述的发光二极管阵列，其特征在于，该发光二极管阵列近似正方形，且连接一电流输入端与一电流输出端。

6.根据权利要求4所述的发光二极管阵列，其特征在于，该串联序列的第一个发光二极管单元以该第二电极连接该电流输入端，该串联序列的最后一个发光二极管单元以该第一电极连接该电流输出端。

7.根据权利要求4所述的发光二极管阵列，其特征在于，m与n两者的中一者为奇数，一者为偶数，该电流输入端与该电流输出端位于或邻近该发光二极管阵列的一边线。

8.根据权利要求4所述的发光二极管阵列，其特征在于，m与n两者均为奇数，该电流输入端与该电流输出端位于或邻近该发光二极管阵列的对角位置。

9.根据权利要求4所述的发光二极管阵列，其特征在于，该串联序列中的第一个发光二极管单元的电极位置图案与第三个发光二极管单元相同。

10.根据权利要求9所述的发光二极管阵列，其特征在于，该串联序列中的第一个发光二极管单元的电极位置图案顺时钟旋转90度会相同于第二个发光二极管单元，第二个发光二极管单元的电极位置图案逆时钟旋转90度会相同于第三个发光二极管单元。

11.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于，包含有一基板，且该多个发光二极管单元设置于该基板上。

12.根据权利要求11所述的发光二极管阵列，其特征在于，包含有多个焊线以连接该串联序列中相邻的发光二极管单元。

13.根据权利要求11所述的发光二极管阵列，其特征在于，包含有多个内连线以连接该串联序列中相邻的发光二极管单元。

14.根据权利要求13所述的发光二极管阵列，其特征在于，该内连线沿着相邻发光二极管单元的最短路径以连接相邻的发光二极管单元的电极。

15.根据权利要求11所述的发光二极管阵列，其特征在于，该发光二极管单元堆栈多个发光二极管而成。

16.根据权利要求15所述的发光二极管阵列，其特征在于，堆栈多个发光二极管为垂直串联。

17.根据权利要求16所述的发光二极管阵列，其特征在于，包括有电性相反的一第一电极与一第二电极，其中该第一电极位于最接近该基板的发光二极管，该第二电极则位于最远离该基板的发光二极管。

18.根据权利要求15所述的发光二极管阵列，其特征在于，堆栈多个发光二极管为垂直并联。