[发明专利]用于蚀刻导电多层膜的蚀刻剂组合物和使用其的蚀刻方法

权利要求书

1.用于导电多层膜的蚀刻剂组合物，其基于所述组合物的总重量包含：

50-80重量％的磷酸(H₃PO₄)，

0.5-10重量％的硝酸(HNO₃)，

5-30重量％的乙酸(CH₃COOH)，

0.01-5重量％的咪唑(C₃H₄N₂)，

并且余量为水。

2.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其中咪唑以至少0.1重量％、优选0.1～3重量％的量存在。

3.根据权利要求1或2的蚀刻剂组合物，其中磷酸、硝酸、乙酸和咪唑分别以基于所述组合物总重量的50-75重量％、1-9重量％、14-20重量％和0.1-0.3重量％的量存在，并且余量为水。

4.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其中所述多层膜包含至少一个铜或铜合金层和至少一个钼或钼合金层，所述多层膜包括Cu/Mo叠层膜、Cu/Mo合金叠层膜、Cu合金/Mo合金叠层膜。

5.根据权利要求4的蚀刻剂组合物，其中所述多层膜是Cu/Mo双层膜。

6.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其中所述蚀刻剂组合物处于30℃～60℃、优选约40℃的温度。

7.根据权利要求4的蚀刻剂组合物，其中所述铜层为所述钼层的至少三十倍厚。

8.根据权利要求4的蚀刻剂组合物，其中所述Mo层或Mo合金层的残余应力为张应力。

9.根据权利要求4的蚀刻剂组合物，其中在沉积后将所述Cu层或Cu合金层在100℃～300℃的温度退火10分钟～1小时。

10.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其中所述蚀刻剂组合物不含有过氧化氢(H₂O₂)和/或氟化合物。

11.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其中将所述蚀刻剂组合物用在平板显示器的TFT、有源矩阵OLED或触摸传感器面板的制造中。

12.蚀刻导电多层膜的方法，该方法包括：

在基底上沉积包含至少一个钼或钼合金层和至少一个铜或铜合金层的多层膜；

在所述多层膜上形成具有预定图案的光刻胶；

使用蚀刻剂组合物通过作为掩模的光刻胶蚀刻所述多层膜，以形成金属线路，所述蚀刻剂组合物包含基于所述组合物总重量的50-80重量％的磷酸、0.5-10重量％的硝酸、5-30重量％的乙酸、0.01-5重量％的咪唑，并且余量为水；

除去所述光刻胶；

用去离子水清洁所述金属线路，然后将其干燥。

13.根据权利要求12的方法，其中所述多层膜包含至少一个铜或铜合金层和至少一个钼或钼合金层，所述多层膜包括Cu/Mo叠层膜、Cu/Mo合金叠层膜、Cu合金/Mo合金叠层膜。

14.根据权利要求12的方法，其中在所述基底上沉积所述钼或钼合金层，在所述钼或钼合金层上沉积所述铜或铜合金层，和在所述铜或铜合金层上形成所述光刻胶。

15.根据权利要求13的方法，其中所述钼合金含有Mo和选自W、Ti、Ta和Nb的至少一种元素。

16.根据权利要求13的方法，其中所述铜合金含有铜和选自Mg、Mo和Mn的至少一种元素。

17.根据权利要求13的方法，其中所述钼或钼合金层具有100～的厚度，和所述铜或铜合金层具有1000～的厚度。

18.根据权利要求12的方法，其中所述蚀刻在30℃～60℃、优选约40℃的温度进行。

19.根据权利要求12的方法，其中通过喷射方法在所述基底上喷射所述蚀刻组合物30～150秒。

20.根据权利要求13的方法，其中所述铜或铜合金层是源/漏电极。

21.根据权利要求12的方法，其中所述基底为用于TFT LCD的玻璃基底、用于柔性显示器的金属薄膜基底、或者塑料基底，并且用于TFT LCD、有源矩阵OLED或触摸传感器面板。