[发明专利]一种P156多晶硅低效电池片再烧结处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及低效电池片的处理方法，具体涉及一种P156多晶硅低效电池片再烧结处理方法。

技术背景

现有多晶硅电池片制造过程中全部使用链式烧结炉来进行金属电极印刷后的金属-半导体的烧结，使之形成良好的欧姆接触，既可以具备良好的导电性用以收集光生载流子；同时要具备较低的欧姆接触电阻，保障电池串焊后较低的功率损耗；但是制程过程中由于产线制程的一些不稳定因素如正电极图形设计不匹配、银浆不匹配、刮胶材料等导致的电池片正电极细栅出现虚印，体现为串联电阻的升高导致填充因子FF偏低从而降格为低效档位，目前也有一些再烧结处理方法用以改善低效片的电性能，但是电池片再烧结处理时的放置方式多为与正常制程一样即正面电极朝上，这种处理方法极容易导致背面外观的铝苞降级，如果选用大幅降低烧结区温度解决降级问题的同时，又会影响再处理的效果，因此本文内容提供一种再处理方法，可以小幅度确保再处理的效果，同时不会引起铝苞降级。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是解决现有技术中存在的低效片处理效果不好的问题。

为解决上述问题，本发明提供一种P156多晶硅低效电池片再烧结处理方法，包括如下步骤：

a通过测试仪分类电池片，将低效片单独分为一档集中收集；

b集中收集后全部正面朝下背面朝上放置；

c统一放置后，将待处理低效片等间隔连续放入烧结炉进行再烧结处理。

采用本方案可以降低低效电池片的最终比例，减小公司的成本损耗，提高收益率。

作为上述技术方案的改进，烧结炉第四段的温度设置为500℃-540℃，第五、六段温度设置为800℃-810℃改进的技术方案可以很好解决背电场面鼓包的问题，不至于使电池片出现外观上的降级。

附图说明

图1为现有技术方法两电池片相叠放置重烧效率分布图；

图2为本发明方法中电池片背面朝上放置重烧效率分布图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明技术方案进行详细说明。

本发明公开一种P156多晶硅低效电池片再烧结处理方法，包括如下步骤：

a通过测试仪分类电池片，将低效片单独分为一档集中收集；

b集中收集后全部正面朝下背面朝上放置；

c统一放置后，将待处理低效片等间隔连续放入烧结炉进行再烧结处理。

该方案可以原低效电池片电性能得以改善性提升，比如填充因子FF的提升从而进入正常档位进行销售。

如果c步骤开始出现微小的近似铝苞的外观，就小幅度降低烧结炉最末三段的温度，将烧结炉第四段的温度设置为500℃-540℃，第五、六段温度设置为800℃-810℃；提高烧结带速，将烧结炉带速设置为5700mm/min-5900mm/min。这样可以解决背电场面鼓包的问题，不至于使电池片出现外观上的降级。

如图1所示，现有技术方法两电池片相叠放置重烧效率分布在0.15以下；如图2所示，本发明方法中电池片背面朝上放置重烧效率大多分布在0.16上，效果较好。

最后所应说明的是，以上实施例仅用于说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围中。