[发明专利]一种片内集成低噪声放大器

权利要求书

1.一种片内集成低噪声放大器，该电路包括第一级信号输入级和第二级信号噪声抵消部分，同时两级均具有放大信号的功能，其特征在于：

所述的信号输入级和信号噪声抵消部分集成在同一硅片上；

所述的第一级信号输入级采用了电压并联负反馈结构作为输入阻抗匹配网络，同时具有放大信号功能，该结构由L₁、C₁、L₂、C_C、MN₀、MP₀、R_F组成，用于与天线匹配以及实现放大信号功能，其中符号L为电感，C为电容，R为电阻，MN₀为NMOS晶体管，MP₀为PMOS晶体管；

所述的第二级由C₀、R₁、MN₁、MN₂、MN₃、MN₄组成，用于实现噪声抵消以及信号放大功能，在电路第二级中有两条信号支路，一条为晶体管MN₃构成的源跟随器，用来缓冲第一级的输出信号，另一条为经过共源共栅结构(MN₁和MN₂)的反向放大，两条支路对输入信号的放大作用在输出端口叠加，同时，两条支路对匹配晶体管MN₀和MP₀沟道噪声起着一定的抵消作用；

电路连接关系如下：

输入信号经过由L₁、C₁、L₂、C_C、MN₀、MP₀、R_F组成的匹配网络后输出，同时MN₀、MP₀、R_F对信号起放大作用，所输出的信号进入第二级后经过MN₃构成的源跟随器，与由MN₁和MN₂构成的共源共栅结构共同实现了噪声抵消功能。

2.根据权利要求1所述的片内集成低噪声放大器，其特征在于第一级信号输入级的电压并联负反馈结构可等效为低输入阻抗网络，该网络与L₁、C₁、L₂、C_C共同实现输入网络匹配，L₁为键合电感，C₁为带有ESD保护的焊盘的寄生电容，L₂为片内电感，C_C是为了实现输入阻抗匹配而添加的补偿电容。