[发明专利]手动探针台结构

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种手动探针台结构。

背景技术

DMOS(Double-diffused Metal Oxide Semiconductor，双扩散金属氧化物半导体场效应管)具有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压高。DMOS主要有两种类型，分别为垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET(vertical double-diffused MOSFET)和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET(lateral double-dif fused MOSFET)。

DMOS产品是由成百上千的单一结构的DMOS单元所组成的。这些单元的数目是根据一个芯片所需要的驱动能力所决定的，DMOS的性能直接决定了芯片的驱动能力和芯片面积。对于一个由多个基本单元结构组成的LDMOS产品，其中一个最主要的考察参数是导通电阻。对于LDMOS产品应尽可能减小导通电阻。当导通电阻很小时，产品就会提供一个很好的开关特性，因为小的导通电阻，会有较大的输出电流，从而可以具有更强的驱动能力。DMOS的主要技术指标有：导通电阻、阈值电压、击穿电压等。在功率应用中，由于DMOS技术采用垂直器件结构，因此具有很多优点，包括高电流驱动能力、低导通电阻和高击穿电压等。

探针台结构是主要应用于半导体行业以及光电行业的测试的设备。所述探针台结构从操作上来区分包括手动探针台结构、半自动探针台结构以及全自动探针台结构。所述探针台结构从功能上来区分包括高温探针台结构、低温探针台结构、RF探针台结构、LCD平板探针台结构、霍尔效应探针台结构以及表面电阻率探针台结构。

现有技术中一种手动探针台结构，其包括吸盘结构以及设于吸盘结构上方的若干探针。所述吸盘结构没有施加电压的功能。在一般半导体制程中，需要对DMOS产品进行全面测试验证，DMOS产品的正面可以通过手动探针台上的探针接导线进行测试验证，而DMOS产品的反面与吸盘结构接触，必须吸盘结构上通有电压才能对其进行测试验证，而一般现有技术中手动探针台结构中的吸盘结构无法加载电压，这样就无法对DMOS产品的反面进行测试验证。为了解决这一问题，现有技术中也有通过对手动探针台结构中吸盘结构的结构特征进行改造，使得改造后的吸盘结构能够具有施加电压的功能，但颠覆传统的吸盘结构的改造方式其改造成本比较高。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种具有改良结构的手动探针台结构，以克服上述缺陷。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种手动探针台结构，该手动探针台结构中的吸盘结构为一传统结构的吸盘，但是该吸盘结构具有施加电压的功能，有助于对DMOS产品进行全面测试验证。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种手动探针台结构，其包括吸盘结构以及设于吸盘结构上方的若干探针，所述手动探针台结构还设有主连接线以及与主连接线连接的插针，所述吸盘结构的边缘设有一个安装孔，所述插针插在安装孔内，所述主连接线的一端设有镊子夹头，所述镊子夹头夹持在插针上，所述主连接线的另一端与一电压载体连接。

优选的，在上述手动探针台结构中，所述镊子夹头采用焊接的方式固定在主连接线的一端。

优选的，在上述手动探针台结构中，所述手动探针台结构还包括环绕在镊子夹头与吸盘结构上以将主连接线的一端与吸盘结构稳固扎接在一起的扎线带。

优选的，在上述手动探针台结构中，所述主连接线为三层屏蔽的电缆线。

优选的，在上述手动探针台结构中，所述探针上接有导线，所述导线一端与所述探针连接，另一端与所述电压载体连接。

从上述技术方案可以看出，本发明实施例的手动探针台结构通过在吸盘结构上设置一个安装孔以及插接在安装孔内的插针，仅利用一根主连接线将电压传递到吸盘结构上，使得吸盘结构具有施加电压的功能，结构简单且操作方便，且有助于对DMOS产品进行全面测试验证。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的有关本发明的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明手动探针台结构的示意图。

1、吸盘结构  2、探针  3、主连接线  4、镊子夹头  5、电压载体连接

具体实施方式