[发明专利]基于纳米线波导的波长和偏振定向耦合器及其制造方法有效
| 申请号： | 201110332343.4 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102354022A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 刘子晨;邱英;谢德权;杨铸 | 申请（专利权）人： | 武汉邮电科学研究院 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/27;G02F1/365 |
| 代理公司： | 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 | 代理人： | 魏殿绅;庞炳良 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 波导 波长 偏振 定向耦合器 及其 制造 方法 | ||
1.一种基于纳米线波导的波长和偏振定向耦合器，包括两根纳米线波导，所述两根纳米线波导平行布置，形成耦合区域，再经过一定角度弯曲，形成两个输出通道，其特征在于：所述纳米线波导由与周围介质的折射率之差为1～2.5的材料制成，纳米线波导的宽度为200～350纳米，所述耦合区域的长度为3～6.5微米，耦合区域中平行布置的纳米线波导的中心间距为250～600纳米。
2.如权利要求1所述的基于纳米线波导的波长和偏振定向耦合器，其特征在于：所述纳米线波导为二氧化硅中的硅纳米线波导、空气中的磷化铟纳米线波导、或者空气中的铌酸锂纳米线波导。
3.如权利要求2所述的基于纳米线波导的波长和偏振定向耦合器，其特征在于：所述纳米线波导为二氧化硅中的硅纳米线波导，其宽度为233纳米，所述耦合区域的长度为6微米，耦合区域中平行布置的纳米线波导的中心间距为395纳米。
4.如权利要求2所述的基于纳米线波导的波长和偏振定向耦合器，其特征在于：所述纳米线波导为空气中的磷化铟纳米线波导，其宽度为228纳米，所述耦合区域的长度为3微米，耦合区域中平行布置的纳米线波导的中心间距为388纳米。
5.如权利要求2所述的基于纳米线波导的波长和偏振定向耦合器，其特征在于：所述纳米线波导为空气中的铌酸锂纳米线波导，其宽度为350纳米，所述耦合区域的长度为5微米，耦合区域中平行布置的纳米线波导的中心间距为560纳米。
6.基于纳米线波导的波长和偏振定向耦合器的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
A、采用折射率之差为1～2.5的两种材料搭配制造纳米线波导，所述纳米线波导的宽度为200～350纳米；
B、将两根纳米线波导按照250～600纳米的中心间距平行布置，形成3～6.5微米长的耦合区域；
C、将所述两根纳米线波导耦合区域以外的部分经过一定角度弯曲，形成两个输出通道。
7.如权利要求6所述的基于纳米线波导的波长和偏振定向耦合器的制造方法，其特征在于：所述纳米线波导为二氧化硅中的硅纳米线波导、空气中的磷化铟纳米线波导、或者空气中的铌酸锂纳米线波导。
8.如权利要求7所述的基于纳米线波导的波长和偏振定向耦合器的制造方法，其特征在于：所述纳米线波导为二氧化硅中的硅纳米线波导，其宽度为233纳米，所述耦合区域的长度为6微米，耦合区域中平行布置的纳米线波导的中心间距为395纳米。
9.如权利要求7所述的基于纳米线波导的波长和偏振定向耦合器的制造方法，其特征在于：所述纳米线波导为空气中的磷化铟纳米线波导，其宽度为228纳米，所述耦合区域的长度为3微米，耦合区域中平行布置的纳米线波导的中心间距为388纳米。
10.如权利要求7所述的基于纳米线波导的波长和偏振定向耦合器的制造方法，其特征在于：所述纳米线波导为空气中的铌酸锂纳米线波导，其宽度为350纳米，所述耦合区域的长度为5微米，耦合区域中平行布置的纳米线波导的中心间距为560纳米。
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