[发明专利]LDNMOS结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110332290.6 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN103094337A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 凌龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldnmos 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种LDNMOS结构，包括P型单晶Si基底以及在P型基底上依次形成的栅氧化层及多晶硅栅极；所述P型基底包括P阱和N-漂移区，所述P阱中设置有源区，所述N-漂移区中设置有漏区；在所述N-漂移区中、漏区与多晶硅栅极之间设置有STI，其特征在于，所述N-漂移区的部分或全部由N-掺杂的SiC区构成。
2.根据权利要求1所述的LDNMOS结构，其特征在于，所述N-掺杂的SiC区为圆弧型、梯形或矩形。
3.根据权利要求1或2所述的LDNMOS结构，其特征在于，所述SiC中C原子的浓度为10％至20％。
4.一种LDNMOS的制造方法，包括：
提供单晶Si基片；
掺杂单晶Si基片形成P型单晶Si基底；
在P型单晶Si基底上沉积一层氮化物；
在P型单晶Si基底上对应N-漂移区的位置刻蚀生成沟槽；
在所述沟槽中沉积SiC；
对所述P型单晶Si基片进行化学机械研磨去除多余SiC后，去除氮化物；
对所述SiC进行N-离子注入并扩散形成N-漂移区；
通过离子注入并扩散形成P阱；
在所述SiC中进行N+掺杂形成漏区；
在所述P阱中进行N+掺杂形成源区；
在所述N-漂移区形成STI；
在所述P型单晶Si基片上对应覆盖部分N-漂移区和部分P阱的位置形成栅氧化层和多晶硅栅极。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，利用干法刻蚀生成所述沟槽，所述沟槽的形状为圆弧型、梯形或矩形。
6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，沉积的所述SiC中C原子的浓度为10％至20％。
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