[发明专利]非晶硅锗薄膜太阳电池无效
| 申请号： | 201110331877.5 | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103077982A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 杨君坤;刘成;徐正军 | 申请（专利权）人： | 上海空间电源研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0376;H01L31/06 |
| 代理公司： | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人： | 郑丹力 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非晶硅锗 薄膜 太阳电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种非晶硅锗薄膜太阳电池，包括在柔性衬底上依次沉积背电极、N型非晶硅掺杂层、非晶硅锗电池本征吸收层、非晶硅宽带隙P型掺杂层、前电极；其特征在于，非晶硅锗电池本征吸收层和非晶硅宽带隙P型掺杂层之间还包含有一个窄带隙轻掺杂非晶硅P型缓冲层。
2.如权利要求1所述的薄膜太阳电池，其特征在于：所述的窄带隙轻掺杂非晶硅P型缓冲层的带隙态密度小于1×1015cm-3。
3.如权利要求1或2所述的薄膜太阳电池，其特征在于：所述的缓冲层带隙值为1.7eV。
4.如权利要求3所述的薄膜太阳电池，其特征在于：所述的缓冲层厚度在1nm～5nm之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海空间电源研究所，未经上海空间电源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110331877.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于医疗流程的标测系统和方法
- 下一篇：一种防堵塞的物料提升装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
