[发明专利]一种立方氮化硼压电薄膜声表面波器件及其制备方法

权利要求书

1.一种立方氮化硼压电薄膜声表面波器件，其特征在于：为IDT/c-BN/Al/金刚石多层膜结构，由金刚石衬底、中间层纳米铝膜和在纳米铝膜表面形成的一层纳米立方氮化硼c-BN压电薄膜组成。

2.根据权利要求1所述立方氮化硼压电薄膜声表面波器件，其特征在于：所述的中间层纳米铝膜的晶粒线度为40-60nm、膜厚为0.1-0.2μm；所述纳米立方氮化硼c-BN膜的晶粒线度为50-100nm、膜厚为0.8-0.9μm。

3.一种如权利要求1所述立方氮化硼压电薄膜声表面波器件的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1)采用直流磁控溅射法在纳米CVD金刚石衬底表面沉积纳米Al膜；

2)采用射频磁控溅射法在纳米Al膜表面沉积纳米立方氮化硼c-BN薄膜；

3)在纳米立方氮化硼c-BN薄膜表面制备叉指换能器IDT。

4.根据权利要求3所述立方氮化硼压电薄膜声表面波器件的制备方法，其特征在于：所述在金刚石表面沉积纳米Al膜的直流磁控溅射法的工艺参数为：本底真空度为3.3×10^-4Pa、衬底转台旋转速度为20转/分钟、衬底温度为室温、溅射功率为50w、氩气流量为20sccm、工作压强为1.0Pa、靶基距为6.5cm、沉积时间为12分钟。

5.根据权利要求3所述立方氮化硼压电薄膜声表面波器件的制备方法，其特征在于：所述在纳米铝膜表面沉积纳米立方氮化硼c-BN薄膜的射频磁控溅射法的工艺参数为：本底真空度小于3.3×10^-4Pa、衬底旋转台转速20转/分钟、衬底温度500℃、射频功率300W、氮气与氩气流量比为2∶18、工作压强0.8Pa、溅射靶与衬底之间的靶距6cm、衬底负偏压为-200V、沉积时间2-3小时。