[发明专利]毫米波多位微型数字移相器无效

专利信息
申请号: 201110331729.3 申请日: 2011-10-27
公开(公告)号: CN102509815A 公开(公告)日: 2012-06-20
发明(设计)人: 戴永胜;李平;戚湧;谢秋月;韩群飞;冯媛;左同生;孙宏途;汉敏;尹洪浩 申请(专利权)人: 无锡南理工科技发展有限公司
主分类号: H01P1/18 分类号: H01P1/18
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 朱显国
地址: 214192 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 毫米波 微型 数字 移相器
【权利要求书】:

1.一种毫米波多位微型数字移相器,其特征在于:包括四个单元移相电路,四个单元移相电路均为反射型移相电路拓扑;该移相器由90°、45°、22.5°、 11.25°相移单元电路级联构成,其级联顺序是按相移量由大到小级联而成,该移相器以11.25°为相移步进值在0~360°的范围内总共可实现16种相移状态, 11.25°、22.5°、45°、90°相移位单元电路均采用反射型拓扑;该毫米波多位微型数字移相器的信号输入端接90°移相单元电路,然后依次接 45°、22.5°、11.25°相移单元电路,最后11.25°单元移相电路接信号输出端。

2. 根据权利要求1所述的毫米波多位微型数字移相器,其特征在于:90°单元移相电路由兰格耦合器、微带线、PHEMT晶体管、薄膜电阻、交指电容、接地端以及信号输入端输出端组成;该单元电路包括第一信号输入端(INPUT),第一信号输出端(OUTPUT),第一微带线(Ma1)、第二微带线(Ma2)、第三微带线(Ma3)、第四微带线(Ma4)、第五微带线(Ma5)、第六微带线(Ma6),第一薄膜电阻(Ra1)、第二薄膜电阻(Ra2)、第三薄膜电阻(Ra3)、第四薄膜电阻(Ra4) 、第五薄膜电阻(Ra5)、第六薄膜电阻(Ra6),第一交指电容(Ca1)、第二交指电容(Ca2),第一兰格耦合器(Langa1); 第一PHEMT晶体管(Pa1)、第二PHEMT晶体管(Pa2);该单元电路信号输入端接第二微带(Ma2)的一端,第二微带(Ma2)的另一端接兰格耦合器(Langa1)的输入端,兰格耦合器的隔离口接第一微带(Ma1)的一端,第一微带(Ma1)的另一端接信号输出端;兰格耦合器的耦合口接第四微带(Ma4)的一端,第四微带(Ma4)的另一端分别接第六微带(Ma6)和第二薄膜电阻(Ra2)的一端,第二薄膜电阻(Ra2)的另一端接地;第六微带(Ma6)的另一端接第二PHEMT晶体管(Pa2)的源极,第二PHEMT晶体管(Pa2)的栅极接第六薄膜电阻(Ra6)的一端,第六薄膜电阻(Ra6)的另一端接地;第二PHEMT晶体管(Pa2)漏极接第二交指电容(Ca2)的一端,第二交指电容(Ca2)另一端接地,第二交指电容(Ca2)与第四薄膜电阻(Ra4)并联;第一兰格耦合器(Langa1)的直通口所连接电路与其耦合口所接电路结构一致,即第一兰格耦合器(Langa1)的直通口接第三微带(Ma3)的一端,第三微带(Ma3)的另一端分别接第五微带(Ma5)和第一薄膜电阻(Ra1)的一端,第一薄膜电阻(Ra1)的另一端接地;第五微带(Ma5)的另一端接第一PHEMT晶体管(Pa1)的源极,第一PHEMT晶体管(Pa1)的栅极接第五薄膜电阻(Ra5)的一端,第五薄膜电阻(Ra5)的另一端接地;第一PHEMT晶体管(Pa1)的漏极接第三薄膜电阻(Ra3)的一端,第三薄膜电阻(Ra3)另一端接地,第三薄膜电阻(Ra3)与第一交指电容(Ca1)并联;该单元电路可实现步进值为0°和90°的相移。

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